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公开(公告)号：CN119866027A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411255916.1
申请日：2024-09-09
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 一种高品质的半导体层叠物、半导体元件和半导体层叠物的制造方法。半导体层叠物，具备：包含碳化硅，具有主面的衬底；设于衬底的主面上，包含氮化铝的晶体的第一层；设于第一层上，包含氮化铝镓、氮化铝铟或氮化铝铟镓中的任意一种晶体的第二层；设于第二层上，包含氮化镓的晶体的第三层，第一层在27℃下沿着主面的方向上具有拉伸应变。
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公开(公告)号：CN119433700A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411053412.1
申请日：2024-08-02
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 一种氮化物晶体基板的制造方法和剥离中间体。所述制造方法具备如下的工序：(a)准备基底基板；(b)在基底基板的上方形成包含n型的III族氮化物晶体的中间层；(c)在中间层上形成覆盖层；(d)通过电化学处理，维持覆盖层的表面状态并且穿过覆盖层中的位错而使中间层成为多孔状；(e)使由III族氮化物晶体形成的再生长层在覆盖层上外延生长；(f)以成为多孔状的中间层的至少一部分为边界，使再生长层自基底基板剥离，(e)具有如下工序：(e1)在第一生长温度下使第一再生长层在覆盖层上生长；(e2)在第二生长温度下使第二再生长层在第一再生长层上生长，在(e1)中，使第一生长温度低于第二生长温度。
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公开(公告)号：CN119008409A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410588330.0
申请日：2024-05-13
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 藤仓序章
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体构件的制造方法。[课题]提供半导体元件等中使用的半导体构件的新型制造方法。[解决手段]半导体构件的制造方法具有下述工序：准备处理对象物的工序，所述处理对象物具备由导电性半导体构成的晶圆和配置在晶圆的上表面上的掩模；以及，通过将处理对象物浸渍于蚀刻液，并从晶圆的前述上表面侧照射光，从而对晶圆进行光电化学蚀刻的工序；在对晶圆进行光电化学蚀刻的工序中，通过对晶圆的掩模的外侧部分进行蚀刻，从而在掩模的下方形成凸部，通过对凸部的彼此相对的第一侧面和第二侧面进行蚀刻直至第一侧面与第二侧面之间的总宽度耗尽为止，从而使第一侧面和第二侧面的蚀刻自动停止。
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公开(公告)号：CN110777432B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201811401609.4
申请日：2018-11-22
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B25/18 , C30B25/08 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高III族氮化物的晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用InxAlyGa1‑x‑yN的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，晶体中的B、O和C的各浓度均低于1×1015at/cm3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110777432A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201811401609.4
申请日：2018-11-22
IPC: C30B29/40 , C30B25/18 , C30B25/08 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高III族氮化物的晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用InxAlyGa1-x-yN的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，晶体中的B、O和C的各浓度均低于1×1015at/cm3。
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公开(公告)号：CN110777431A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201811400336.1
申请日：2018-11-22
Abstract: 本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高III族氮化物的晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用InxAlyGa1-x-yN的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，其通过最大载荷在1mN以上且50mN以下的范围内的纳米压痕法测定的硬度大于22.0GPa。
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公开(公告)号：CN109312491A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037496.1
申请日：2017-01-24
IPC: C30B29/38 , C23C16/02 , C23C16/34 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 本发明的氮化物半导体模板具有：基板，其具有表面以及与表面处于相反侧的背面；背面侧半导体层，其设置在基板的背面侧，由多晶的III族氮化物半导体形成，并具有与基板的线膨胀系数不同的线膨胀系数；表面侧半导体层，其设置在基板的表面侧，由单晶的III族氮化物半导体形成，并具有与基板的线膨胀系数不同的线膨胀系数，表面侧半导体层的厚度大于在仅设置表面侧半导体层而不设置背面侧半导体层的情况下将氮化物半导体模板加热至III族氮化物半导体的生长温度时在表面侧半导体层中产生裂纹的临界厚度。
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公开(公告)号：CN106688079A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580047087.0
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 藤仓序章
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C30B25/14
CPC classification number: C23C16/4401 , B08B5/02 , C23C16/4405 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B29/40 , C30B29/406 , C30B35/00 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/205 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68714 , H01L21/68785
Abstract: 半导体制造装置具有：处理容器；隔壁，其将处理容器内的空间的至少一部分划分为生长部和清洁部；基板保持构件，其配置于生长部内；原料气体供给系统，其向生长部内供给原料气体；清洁气体供给系统，其向清洁部内供给清洁气体；以及加热器，其对生长部以及所述清洁部进行加热。
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