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公开(公告)号:CN103443229A
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201280015419.3
申请日:2012-03-27
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J4/00 , C09J175/14 , C09J201/08 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08G2170/40 , C09J4/00 , C09J7/385 , C09J133/06 , C09J175/16 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2475/00 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明的技术问题是提供能够使在带剥离后的被粘附体的表面残留的粘附剂的量充分地减少的半导体晶片等加工用粘附带。本发明的半导体晶片等加工用粘附带(100)具备基材层(200)和粘附层(300)。粘附层(300)形成在基材层(200)的至少一面上。另外,粘附层(300)主要由含羧基聚合物构成。含羧基聚合物含有放射线聚合化合物(特别是聚氨酯丙烯酸酯)。
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公开(公告)号:CN103443227A
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201280014062.7
申请日:2012-03-22
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L23/10 , C08L2201/04 , C09J7/241 , C09J2203/326 , C09J2421/006 , C09J2423/106 , C09J2453/006 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10T428/2852 , Y10T428/2878 , C08L23/04 , C08L23/16
Abstract: 本发明的技术问题是提供能够稳定地抑制静电的半导体晶片等加工用粘附带。本发明的半导体晶片等加工用粘附带(切割带)(100)具备基层(200)和粘附层(300)。粘附层(300)形成在基层(200)上。另外,粘附层(300)含有使该粘附层(300)固化的固化成分。基层(200)主要由树脂构成。树脂中混炼有高分子型防静电剂。高分子型防静电剂的MFR,按照JIS K7210在190℃、21.18N的测定条件下测定时为10.0g/10min以上15.0g/10min以下。
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公开(公告)号:CN103443227B
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201280014062.7
申请日:2012-03-22
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L23/10 , C08L2201/04 , C09J7/241 , C09J2203/326 , C09J2421/006 , C09J2423/106 , C09J2453/006 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y10T428/2852 , Y10T428/2878 , C08L23/04 , C08L23/16
Abstract: 本发明的技术问题是提供能够稳定地抑制静电的半导体晶片等加工用粘附带。本发明的半导体晶片等加工用粘附带(切割带)(100)具备基层(200)和粘附层(300)。粘附层(300)形成在基层(200)上。另外,粘附层(300)含有使该粘附层(300)固化的固化成分。基层(200)主要由树脂构成。树脂中混炼有高分子型防静电剂。高分子型防静电剂的MFR,按照JIS K7210在190℃、21.18N的测定条件下测定时为10.0g/10min以上15.0g/10min以下。
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公开(公告)号:CN103443229B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201280015419.3
申请日:2012-03-27
Applicant: 住友电木株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J4/00 , C09J175/14 , C09J201/08 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08G2170/40 , C09J4/00 , C09J7/385 , C09J133/06 , C09J175/16 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2475/00 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明的技术问题是提供能够使在带剥离后的被粘附体的表面残留的粘附剂的量充分地减少的半导体晶片等加工用粘附带。本发明的半导体晶片等加工用粘附带(100)具备基材层(200)和粘附层(300)。粘附层(300)形成在基材层(200)的至少一面上。另外,粘附层(300)主要由含羧基聚合物构成。含羧基聚合物含有放射线聚合化合物(特别是聚氨酯丙烯酸酯)。
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