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公开(公告)号:CN102959709B
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201180030749.5
申请日:2011-07-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/78
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , Y10S438/931
Abstract: 公开的碳化硅衬底(1)包括碳化硅。并且在一个主表面(1A)的法线和{03-38}面的法线到包含 方向和 方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此,该碳化硅衬底(1)展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。
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公开(公告)号:CN102934210A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201180004586.3
申请日:2011-02-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/02236 , H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802
Abstract: 公开了一种制造具有提高的性能的SiC半导体器件的方法。公开的制造SiC半导体器件的方法涉及下述步骤。制备SiC半导体,其具有第一表面,该第一表面的至少一部分被注入有杂质(S1-S3)。通过清洗SiC半导体的第一表面,形成第二表面(S4)。在第二表面上,形成含Si膜(S5)。通过氧化含Si膜,形成构成SiC半导体器件的氧化物膜(S6)。
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公开(公告)号:CN102782823A
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201180011867.1
申请日:2011-10-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/337 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/808
CPC classification number: H01L29/36 , H01L21/02447 , H01L21/02502 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/808
Abstract: 缓冲层(31)设置在衬底(30)上,由包含杂质的碳化硅制成,并且具有大于1μm且小于7μm的厚度。漂移层(32)设置在缓冲层(31)上,并且由具有比缓冲层(31)的杂质浓度小的杂质浓度的碳化硅制成。以此方式,能够提供一种包括具有所期望的杂质浓度和高结晶性的漂移层(32)的碳化硅半导体器件。
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公开(公告)号:CN102576659A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201180004270.4
申请日:2011-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/0475 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B 1)、与第一背面(B 1)相反的第一正面(T 1)以及将第一背面(B 1)和第一正面(T 1)彼此连接的第一侧面(S 1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接的第二背面(B2)、与第二背面(B2)相反的第二正面(T2)以及将第二背面(B2)和第二正面(T2)彼此连接的第二侧面(S2),并且在第一侧面(S 1)和第二侧面(S2)之间形成有间隙(GP)。封闭部(21)封闭间隙(GP)。由此,能够防止异物残留在复合衬底中提供的多个碳化硅衬底之间的间隙中。
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公开(公告)号:CN102986009B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201180004388.7
申请日:2011-02-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02057 , H01L21/02236 , H01L21/02301 , H01L21/0445 , H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/66053 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供一种制造SiC半导体装置的方法,所述方法包括:在SiC半导体的第一表面上形成第一氧化物膜的步骤(S4);除去所述第一氧化物膜的步骤(S5);以及在所述SiC半导体中因除去所述第一氧化物膜而露出的第二表面上形成构成所述SiC半导体装置的第二氧化物膜的步骤(S6)。在所述除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)与所述形成第二氧化物膜的步骤(S6)之间,将所述SiC半导体布置在与环境气氛隔绝的气氛中。
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公开(公告)号:CN102986009A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201180004388.7
申请日:2011-02-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02057 , H01L21/02236 , H01L21/02301 , H01L21/0445 , H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/66053 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供一种制造SiC半导体装置的方法,所述方法包括:在SiC半导体的第一表面上形成第一氧化物膜的步骤(S4);除去所述第一氧化物膜的步骤(S5);以及在所述SiC半导体中因除去所述第一氧化物膜而露出的第二表面上形成构成所述SiC半导体装置的第二氧化物膜的步骤(S6)。在所述除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)与所述形成第二氧化物膜的步骤(S6)之间,将所述SiC半导体布置在与环境气氛隔绝的气氛中。
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公开(公告)号:CN102782820A
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201180004782.0
申请日:2011-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/316 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02057 , H01L21/02236 , H01L21/02301 , H01L21/046 , H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅半导体器件(200)的方法,该方法包括:制备包括第一表面(100a)的碳化硅半导体(100)的步骤,该第一表面(100a)至少部分地注入有杂质;通过使用含有氢气的气体对碳化硅半导体(100)的第一表面(100a)进行干法刻蚀,来形成第二表面(100b)的步骤;以及在所述第二表面(100b)上形成构成所述碳化硅半导体器件(200)的氧化膜(126)的步骤。
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公开(公告)号:CN102959709A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201180030749.5
申请日:2011-07-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/78
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , Y10S438/931
Abstract: 公开的碳化硅衬底(1)包括碳化硅。并且在一个主表面(1A)的法线和{03-38}面的法线到包含 方向和 方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此,该碳化硅衬底(1)展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。
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公开(公告)号:CN102668033A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201180005073.4
申请日:2011-02-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/481 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/1608 , H01L29/872
Abstract: 基板(10-12)分别安装在多个基座(20-22)中的每个基座上。所述多个基座中的每个基座均安装有基板,且所述多个基座设置在旋转机构上,使得这些基座在上下方向上彼此间具有预定间隔。设置有所述多个基座的旋转机构被旋转。每个均安装有基板的多个基座被加热。通过向在旋转的同时受热的基座中的每个基座供应原料气体来沉积半导体薄膜,所述原料气体通过基本上彼此相等的相应路径长度的气体流路被加热。
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公开(公告)号:CN102598211A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201180004204.7
申请日:2011-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/02002 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0475 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 准备具有支撑部(30)以及第一和第二碳化硅衬底(11、12)的连接衬底。第一碳化硅衬底(11)具有连接到支撑部(30)的第一背面、与第一背面相反的第一正面以及将第一背面和第一正面彼此连接的第一侧面。第二碳化硅衬底(12)具有连接到支撑部(30)的第二背面、与第二背面相反的第二正面以及将第二背面和第二正面彼此连接的第二侧面,并且在第一侧面和第二侧面之间形成有间隙。去除用于填充间隙的填充部40。然后,对第一和第二正面进行抛光。然后,去除填充部40。然后,形成用于封闭间隙的封闭部。这样,在使用具有碳化硅衬底的复合衬底制造半导体器件的工艺中,能够抑制由碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺变化。
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