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公开(公告)号：CN114600250A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074984.1
申请日：2020-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 碳化硅半导体装置具有碳化硅基板、第一电极及第二电极。碳化硅基板具有第一主面、第二主面、第一杂质区域、第二杂质区域及第三杂质区域。第一电极在第一主面处与第二杂质区域及第三杂质区域的各自相接。第二电极在第二主面处与第一杂质区域相接。第二杂质区域包含第一区域和处于第一区域与第二主面之间且与第一区域相接的第二区域。第一区域的杂质浓度为6×1016cm‑3以上。
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