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    GaAs半导体衬底及其制造方法
    3.
    发明公开
    GaAs半导体衬底及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101315910A

    公开(公告)日：2008-12-03

    申请号：CN200710167164.3

    申请日：2007-10-24

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 西浦隆幸 ,  目崎义雄 ,  堀江裕介 ,  樋口恭明

    IPC: H01L23/00 ,  H01L21/302

    CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/42 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/3245

    Abstract: 一种GaAs半导体衬底(10)包括表面层(10a)。当利用通过X－射线光电子光谱术在光电子出射角θ为10°的条件下测量的Ga原子和As原子的3d电子光谱来计算原子比时，该表面层(10a)上所有Ga原子对所有As原子的构成原子比(Ga)/(As)至少为0.5且不大于0.9；在该表面层(10a)上，与O原子结合的As原子与所有Ga原子和所有As原子的比(As－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35；并且在该表面层(10a)上，与O原子结合的Ga原子与所有Ga原子和所有As原子的比(Ga－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35。因此，提供了具有清洁到允许至少通过衬底的热清洗移除表面上的杂质和氧化物这样的程度的表面的GaAs半导体衬底。

    GaAs半导体衬底及其制造方法
    4.
    发明授权
    GaAs半导体衬底及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101315910B

    公开(公告)日：2011-02-09

    申请号：CN200710167164.3

    申请日：2007-10-24

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 西浦隆幸 ,  目崎义雄 ,  堀江裕介 ,  樋口恭明

    IPC: H01L23/00 ,  H01L21/302

    CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/42 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/3245

    Abstract: 一种GaAs半导体衬底(10)包括表面层(10a)。当利用通过X-射线光电子光谱术在光电子出射角θ为10°的条件下测量的Ga原子和As原子的3d电子光谱来计算原子比时，该表面层(10a)上所有Ga原子对所有As原子的构成原子比(Ga)/(As)至少为0.5且不大于0.9；在该表面层(10a)上，与O原子结合的As原子与所有Ga原子和所有As原子的比(As-O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35；并且在该表面层(10a)上，与O原子结合的Ga原子与所有Ga原子和所有As原子的比(Ga-O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35。因此，提供了具有清洁到允许至少通过衬底的热清洗移除表面上的杂质和氧化物这样的程度的表面的GaAs半导体衬底。

    GaAs基板的洗涤方法、GaAs晶片及外延基板的制造方法
    5.
    发明授权
    GaAs基板的洗涤方法、GaAs晶片及外延基板的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100437927C

    公开(公告)日：2008-11-26

    申请号：CN200580001650.7

    申请日：2005-04-25

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 堀江裕介 ,  西浦隆幸 ,  上村智喜

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10T428/265

    Abstract: 本发明提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板的洗涤方法。该洗涤方法由酸洗涤工序(S11)、纯水洗净工序(S12)和旋转干燥工序(S13)构成。首先，通过将表面被镜面研磨的GaAs基板浸渍到酸性洗涤液中来进行酸洗涤工序(S11)。在酸洗涤工序中，洗涤时间不足30秒。然后，进行用纯水将附着在被洗涤的GaAs基板上的洗涤液冲洗干净的纯水洗净工序(S12)。接着，进行使附着有纯水的GaAs基板干燥的旋转干燥工序(S13)。由此，可以提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板。

    化合物半导体衬底、其表面处理方法及制造方法
    6.
    发明公开
    化合物半导体衬底、其表面处理方法及制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101038871A

    公开(公告)日：2007-09-19

    申请号：CN200710084402.4

    申请日：2007-03-02

    Applicant: 住友电气工业株式会社

    Inventor： 西浦隆幸 ,  冲田恭子 ,  堀江裕介

    IPC: H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L23/00

    CPC classification number: H01L21/02052

    Abstract: 提供了一种化合物半导体衬底的表面处理方法，一种化合物半导体的制造方法，一种化合物半导体衬底以及一种半导体晶片，涉及通过减小在由化合物半导体所形成的衬底的表面处的杂质浓度，来减小形成在衬底上的层处的杂质浓度。该化合物半导体衬底表面处理方法包括衬底制备步骤(S10)以及第一清洗步骤(S20)。衬底制备步骤(S10)包括制备由包含至少5质量％的铟的化合物半导体所形成的衬底的步骤。在第一清洗步骤(S20)中，使用清洗液清洗所述衬底至少3秒钟但不超过60秒钟的清洗持续时间，该清洗液具有至少－1但不超过3的pH，以及满足－0.08333x+0.750≤E≤－0.833x+1.333的关系的氧化还原电位E(mV)，其中x是pH值。

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