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公开(公告)号：CN1458913A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN02800712.3
申请日：2002-02-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B38/00
CPC classification number: B24B37/042 , C04B35/581 , C04B35/591 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B38/0025 , C04B38/0061 , C04B2111/00198 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3272 , C04B2235/3895 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/46 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/667 , C04B2235/725 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , H01P3/081 , H01P3/088 , H05K1/024 , H05K1/0306 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , C04B35/00 , C04B35/597 , C04B40/0014 , C04B41/5025 , C04B35/584 , C04B41/5155 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B38/0067 , C04B41/51
Abstract: 一种多孔性陶瓷的制备方法，它含有使陶瓷(1)的母体金属粉末和烧结助剂混合，采用微波加热进行热处理，而使金属粉末从表面进行氮化或氧化反应，使金属向该金属外壳形成的氮化物或氧化物扩散，得到具有均匀而细微的封闭孔(1a)的多孔性陶瓷(1)。本发明的多孔性陶瓷(1)由于封闭孔(1a)的比例高，具分散均匀，从而具有耐吸湿性和低介电常数、低介电损失以及电子线路基片等所要求的机械强度等优良特性。
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公开(公告)号：CN1209321C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02800712.3
申请日：2002-02-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B38/00
CPC classification number: B24B37/042 , C04B35/581 , C04B35/591 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B38/0025 , C04B38/0061 , C04B2111/00198 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3272 , C04B2235/3895 , C04B2235/402 , C04B2235/428 , C04B2235/46 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/667 , C04B2235/725 , C04B2235/728 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , H01P3/081 , H01P3/088 , H05K1/024 , H05K1/0306 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , C04B35/00 , C04B35/597 , C04B40/0014 , C04B41/5025 , C04B35/584 , C04B41/5155 , C04B35/10 , C04B35/14 , C04B38/0067 , C04B41/51
Abstract: 一种多孔性陶瓷的制备方法，它含有使陶瓷(1)的母体金属粉末和烧结助剂混合，采用微波加热进行热处理，而使金属粉末从表面进行氮化或氧化反应，使金属向该金属外壳形成的氮化物或氧化物扩散，得到具有均匀而细微的封闭孔(1a)的多孔性陶瓷(1)。本发明的多孔性陶瓷(1)由于封闭孔(1a)的比例高，具分散均匀，从而具有耐吸湿性和低介电常数、低介电损失以及电子线路基片等所要求的机械强度等优良特性。
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公开(公告)号：CN1197830C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02802876.7
申请日：2002-03-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B38/00
CPC classification number: C04B35/591 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/63 , C04B35/64 , C04B38/0025 , C04B2111/00198 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3272 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/428 , C04B2235/46 , C04B2235/465 , C04B2235/483 , C04B2235/667 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H05K1/0306 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , Y10T428/249967 , Y10T428/249971 , Y10T428/249974 , Y10T428/249976 , Y10T428/252 , C04B35/584 , C04B38/0061 , C04B38/0074 , C04B40/0014 , C04B35/597 , C04B38/0054
Abstract: 本发明提供具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷和其制造方法。金属Si粉末与烧结添加剂混合，随后热处理，这是一种用于形成特定晶粒边界相的预工艺。然后通过在1000℃或更多的温度下微波加热而进行二步热处理。金属Si粉末然后从其表面进行氮化反应，金属Si随后扩散到在金属Si的外壳上形成的氮化物，这样可得到具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷。因为本发明多孔氮化硅陶瓷具有高闭孔比率并具有优异的电/机械特性，如果它们例如用作需要抗吸湿性，低介电常数，低介电损耗，和机械强度的电子电路板，可以显示出优异的特性。
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公开(公告)号：CN1473140A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN02802876.7
申请日：2002-03-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B38/00
CPC classification number: C04B35/591 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/63 , C04B35/64 , C04B38/0025 , C04B2111/00198 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3272 , C04B2235/3852 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/428 , C04B2235/46 , C04B2235/465 , C04B2235/483 , C04B2235/667 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H05K1/0306 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , Y10T428/249967 , Y10T428/249971 , Y10T428/249974 , Y10T428/249976 , Y10T428/252 , C04B35/584 , C04B38/0061 , C04B38/0074 , C04B40/0014 , C04B35/597 , C04B38/0054
Abstract: 本发明提供具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷和其制造方法。金属Si粉末与烧结添加剂混合，随后热处理，这是一种用于形成特定晶粒边界相的预工艺。然后通过在1000℃或更多的温度下微波加热而进行二步热处理。金属Si粉末然后从其表面进行氮化反应，金属Si随后扩散到在金属Si的外壳上形成的氮化物，这样可得到具有均匀，细闭孔的多孔氮化硅陶瓷。因为本发明多孔氮化硅陶瓷具有高闭孔比率并具有优异的电/机械特性，如果它们例如用作需要抗吸湿性，低介电常数，低介电损耗，和机械强度的电子电路板，可以显示出优异的特性。
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