公开(公告)号：CN108138360B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201680057722.8

申请日：2016-07-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  平塚健二

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 一种碳化硅外延基板，其包含碳化硅单晶基板和碳化硅层。所述碳化硅层包含与所述碳化硅单晶基板接触的表面的相反侧的第二主表面。所述第二主表面对应于相对于{0001}面在偏离方向上倾斜的面。所述第二主表面具有100mm以上的最大直径。所述第二主表面具有外周区域和中心区域，所述外周区域距所述第二主表面的外缘在3mm以内，所述中心区域被所述外周区域包围。所述中心区域具有沿与所述偏离方向垂直的直线排列的第一半环的第一位错阵列。所述第一半环各自包含在所述第二主表面露出的一对贯通刃型位错。所述中心区域中所述第一位错阵列的面密度为10/cm2以下。

公开(公告)号：CN106715767A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580053722.6

申请日：2015-08-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  和田圭司 ,  玄番润 ,  伊东洋典 ,  土井秀之 ,  平塚健二

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/34

Abstract: 碳化硅外延基板(100)包含：碳化硅单晶基板(10)；和在碳化硅单晶基板(10)上的外延层(20)。碳化硅单晶基板(10)具有100mm以上的直径。外延层(20)具有10μm以上的厚度。外延层(20)具有1×1014cm‑3以上且1×1016cm‑3以下的载流子浓度。外延层(20)的面内的载流子浓度的标准偏差对所述面内的载流子浓度的平均值的比率为10％以下。外延层(20)具有主表面(21)。主表面(21)在三维表面粗糙度测量中具有0.3nm以下的算术平均粗糙度Sa。在主表面(21)中，源于贯通螺旋位错的凹坑的面密度为1000个cm‑2以下。凹坑(2)各自具有自主表面(21)起算8nm以上的最大深度。

公开(公告)号：CN104321876A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380026644.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  增田健良 ,  田中聪 ,  平塚健二 ,  岛津充 ,  神原健司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/046 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/34 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 形成由碳化硅制成的、具有第一导电类型的第一层(121)。形成设置在所述第一层(121)上的、具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二层(122)和设置在第二层(122)上的、具有第一导电类型的第三层(123)。形成第二和第三层(122，123)的步骤包括执行杂质离子注入的步骤和执行用于活化通过杂质离子注入而注入的杂质的热处理的步骤。在执行热处理的步骤之后，形成具有穿透第三层(123)和第二层(122)的侧壁并且具有达到第一层(121)的底部的沟槽(TR)。形成栅极绝缘膜(201)以覆盖沟槽(TR)的侧壁。结果，提供具有低导通电阻的碳化硅半导体器件(500)。

公开(公告)号：CN108463871A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680078363.4

申请日：2016-12-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊东洋典 ,  西口太郎 ,  平塚健二

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/42 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 根据本公开的碳化硅外延衬底包括：具有第一主表面的碳化硅单晶衬底；在碳化硅单晶衬底上的第一碳化硅层，第一碳化硅层具有第一浓度的载流子；以及在第一碳化硅层上的第二碳化硅层，第二碳化硅层具有小于第一浓度的第二浓度的载流子，第二碳化硅层包括与第一主表面相反的第二主表面。在载流子沿第一碳化硅层和第二碳化硅层层叠的层叠方向上的浓度分布中，载流子浓度在第一浓度和第二浓度之间改变的过渡区具有小于或等于1μm的宽度。第二浓度的标准差与第二浓度的平均值的比率小于或等于5％，该比率定义为在距第二主表面的中心60mm内的中心区中的第二浓度的均匀性。中心区具有小于或等于0.5nm的算术平均粗糙度。

公开(公告)号：CN108138360A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057722.8

申请日：2016-07-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  平塚健二

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 一种碳化硅外延基板，其包含碳化硅单晶基板和碳化硅层。所述碳化硅层包含与所述碳化硅单晶基板接触的表面的相反侧的第二主表面。所述第二主表面对应于相对于{0001}面在偏离方向上倾斜的面。所述第二主表面具有100mm以上的最大直径。所述第二主表面具有外周区域和中心区域，所述外周区域距所述第二主表面的外缘在3mm以内，所述中心区域被所述外周区域包围。所述中心区域具有沿与所述偏离方向垂直的直线排列的第一半环的第一位错阵列。所述第一半环各自包含在所述第二主表面露出的一对贯通刃型位错。所述中心区域中所述第一位错阵列的面密度为10/cm2以下。