公开(公告)号：CN119943806A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411501708.5

申请日：2024-10-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 清水骏斗 ,  新江定宪

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64

Abstract: 本公开提供一种放大器的效率不易下降的半导体装置。半导体装置具备：晶体管，设于具有主面的基板的主面上，具有包括欧姆电极的第一电极；MIM电容器，形成于晶体管上，具有第二电极、设于第二电极上的第一绝缘层以及设于第一绝缘层上的第三电极；第二绝缘层，设于第一电极与第二电极之间；以及多个过孔，贯通第二绝缘层，将第一电极与第二电极相互电连接。

公开(公告)号：CN119943802A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411492145.8

申请日：2024-10-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 清水骏斗 ,  新江定宪

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/64

Abstract: 本公开涉及布线结构和放大器。布线结构是具备MIM电容器和螺旋状的布线的布线结构。布线结构具备：基板，具有主面和背面；以及多个布线层，依次层叠于主面上。多个布线层包括：第一布线层，是最靠近基板的布线层；第二布线层，设于第一布线层上；以及第三布线层，设于第二布线层上。MIM电容器被构成为包括：第一电极，包括在第二布线层；第二电极，包括在第三布线层；以及第一绝缘层，设于第一电极与第二电极之间。螺旋状的布线被构成为包括：第一布线，包括在第一布线层；第二布线，包括在第二布线层；以及第三布线，包括在第三布线层。

公开(公告)号：CN119943807A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411501974.8

申请日：2024-10-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 新江定宪 ,  清水骏斗

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明涉及半导体装置，具备：基板，具有主面和与主面朝向相反的背面；第一金属膜，设于基板的主面上；第一绝缘层，设于第一金属膜上，与第一金属膜相接；第二金属膜，设于第一绝缘层上，与第一绝缘层相接；多个第一过孔，贯通第一绝缘层，将第一金属膜与第二金属膜连接；第二绝缘层，设于第二金属膜上，与第二金属膜相接；第三金属膜，设于第二绝缘层上，与第二绝缘层相接，并且通过第二绝缘层而与第二金属膜绝缘；第四金属膜，设于基板的背面上；以及第二过孔，贯通基板，将第一金属膜与第四金属膜连接，并且当从主面的法线方向观察时，该第二过孔设于与第二金属膜重叠的位置。第二金属膜、第二绝缘层以及第三金属膜构成MIM电容器。

公开(公告)号：CN118943095A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410519217.7

申请日：2024-04-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 新江定宪

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本公开提供一种能提高散热性的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；第一主电极和第二主电极，设于所述半导体层之上；控制电极，在所述半导体层之上设于所述第一主电极与所述第二主电极之间；第一绝缘层，与所述控制电极直接接触，并且覆盖所述第一主电极；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层之上；第一导电层，贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，电连接于所述第一主电极，与所述第一绝缘层直接接触；以及第二导电层，设于所述第二绝缘层之上，与所述第一导电层直接接触，所述第一绝缘层包含氮化铝。