公开(公告)号：CN102844871A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180018726.2

申请日：2011-10-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 玉祖秀人

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅衬底(SB)具有衬底表面(12B)。栅绝缘膜(15)以覆盖所述衬底表面(12B)的一部分的方式设置。栅极(17)覆盖所述栅绝缘膜(15)的一部分。接触电极(16)设置在所述衬底表面(12B)上、邻近所述栅绝缘膜(15)并与所述栅绝缘膜(15)接触、且包含具有Al原子的合金。Al原子不从所述接触电极(16)扩散到所述栅绝缘膜(15)的夹在所述衬底表面(12B)和所述栅极(17)之间的部分中。由此，在使用具有Al原子的接触电极的情况下，可提高半导体装置的栅绝缘膜(15)的可靠性。

公开(公告)号：CN102439699A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022258.1

申请日：2010-04-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  玉祖秀人 ,  增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/768 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808

Abstract: 公开了一种碳化硅半导体器件，其当电极材料与内部互连的材料不同时，消除了在这些不同金属的接触界面处出现问题的可能性，并且具有甚至长期使用之后的高可靠性。该半导体器件提供有接触电极(16)，其接触碳化硅(14，18)；以及互连(19)，其与接触电极连接。接触电极(16)由含有钛、铝和硅的合金形成。互连(19)由铝或铝合金形成，并且通过接触所述接触电极来与所述接触电极相连接。

公开(公告)号：CN101536152A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040752.9

申请日：2007-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  玉祖秀人

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L29/45 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了包含Si和Ni的用于SiC半导体的欧姆电极(2)，或者包含Si和Ni并且另外包含Au或Pt的用于SiC半导体的欧姆电极(2)；所述欧姆电极(2)的制造方法；利用所述欧姆电极(2)的半导体装置；以及所述半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN102859661B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080040910.2

申请日：2010-04-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 玉祖秀人

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L21/02529 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/283 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了包括欧姆电极的碳化硅半导体器件以及制造这种碳化硅半导体器件的方法，所述欧姆电极通过在不形成肖特基接触的情况下抑制碳沉积来实现与布线的粘附性的提高。具体地，在针对SiC半导体器件形成欧姆电极时，在SiC层(11)的一个主表面上形成由第一金属元素形成的第一金属层(12)。其间，在第一金属层的表面上形成由Si形成的Si层(13)，所述表面位于面对SiC层(11)的表面的相反侧上。由此形成的层压结构(10A)经受热处理。因此，可以在抑制电极的表面层上沉积碳原子以及在Si和SiC之间形成肖特基接触的同时得到包括具有与布线的良好粘附性的欧姆电极的碳化硅半导体器件。

公开(公告)号：CN102859661A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201080040910.2

申请日：2010-04-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 玉祖秀人

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L21/02529 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/283 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了包括欧姆电极的碳化硅半导体器件以及制造这种碳化硅半导体器件的方法，所述欧姆电极通过在不形成肖特基接触的情况下抑制碳沉积来实现与布线的粘附性的提高。具体地，在针对SiC半导体器件形成欧姆电极时，在SiC层(11)的一个主表面上形成由第一金属元素形成的第一金属层(12)。其间，在第一金属层的表面上形成由Si形成的Si层(13)，所述表面位于面对SiC层(11)的表面的相反侧上。由此形成的层压结构(10A)经受热处理。因此，可以在抑制电极的表面层上沉积碳原子以及在Si和SiC之间形成肖特基接触的同时得到包括具有与布线的良好粘附性的欧姆电极的碳化硅半导体器件。

公开(公告)号：CN102007596B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200980113300.8

申请日：2009-04-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 玉祖秀人

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/8083

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET(1)，其能够实现减少制造工艺的步骤数目以及提高集成度，其包括：SiC晶片(10)，其由碳化硅构成；以及源接触电极(16)，其被布置成与SiC晶片(10)接触并且包含钛、铝、硅和碳以及其余不可避免的杂质。SiC晶片(10)包括具有n型导电类型的n+源区(14)以及具有p型导电类型的p+区(18)。n+源区(14)和p+区(18)都与源接触电极(16)接触。源接触电极(16)在包括与SiC晶片(10)的交界面的区域中包含铝和钛。

公开(公告)号：CN102668023A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180005072.X

申请日：2011-05-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐见弘 ,  玉祖秀人

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 公开了一种低成本高质量的半导体器件、在所述半导体器件的制造中使用的接合衬底以及其制造方法。公开的用于制造半导体元件的方法包括：制备单晶半导体构件的步骤（S10）；制备支撑材料的步骤（S20）；使用包含碳的接合层将支撑材料和单晶半导体构件彼此接合的步骤（S30）；在单晶半导体构件的表面上形成外延层的步骤（S40）；使用外延层形成半导体元件的步骤（S50）；在形成半导体元件的步骤（S50）之后通过氧化分解接合层并且将单晶半导体构件与支撑材料分离的步骤（S60）；以及分割与支撑材料分离的单晶半导体构件的步骤（S80）。

公开(公告)号：CN101536152B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200780040752.9

申请日：2007-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  玉祖秀人

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L29/45 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了包含Si和Ni的用于SiC半导体的欧姆电极(2)，或者包含Si和Ni并且另外包含Au或Pt的用于SiC半导体的欧姆电极(2)；所述欧姆电极(2)的制造方法；利用所述欧姆电极(2)的半导体装置；以及所述半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN102804342B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180013968.2

申请日：2011-10-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 玉祖秀人

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/268 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

Abstract: 电极层(16)设置在碳化硅衬底（90）上并与其接触，并且具有Ni原子和Si原子。Ni原子的数量至少为Ni原子和Si原子的总数的67％。至少电极层（16）的与碳化硅衬底（90）接触的一侧包含Si和Ni的化合物。在电极层（16）的表面侧上，C原子浓度小于Ni原子浓度。因此，可以实现提高电极层（16）的电导率以及抑制电极层（16）表面处的C原子析出两者。

公开(公告)号：CN102007595B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN200980113242.9

申请日：2009-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 玉祖秀人

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/8083

Abstract: MOSFET(1)，其包括n+SiC衬底(11)、在n+SiC衬底(11)上形成的n-SiC层(12)以及布置成与n-SiC层(12)接触的源电极(22)，该MOSFET代表一半导体器件，该半导体器件通过包括能够在充分抑制接触电阻的情况下与p型SiC区域和n型SiC区域中的任一个相接触的电极而能够实现减少制造工艺步骤数目和提高集成度。n-SiC层(12)包括具有n导电类型的n+源区(14)。源电极(22)包括布置成与n+源区(14)接触且含有Ti、Al和Si的源接触电极(16)。