公开(公告)号：CN104411635B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201380032500.7

申请日：2013-05-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石川真二 ,  足立彻 ,  山下泰一郎

IPC: C01B33/021 ,  C01B32/05 ,  C01B32/97 ,  C25B1/26 ,  C25C3/34

CPC classification number: C01B33/033 ,  C01B32/00 ,  C01B32/05 ,  C01B33/021

Abstract: 本发明提供能够由稻壳制造金属硅及多孔碳的制造方法。金属硅及多孔碳的制造方法具备：第一工序S1，通过稻壳M1的加热处理而生成含有SiO2和C的稻壳炭M2；第二工序S4，使稻壳炭M4曝露于加热后的第一不活泼气体G2或还原性气体中的至少任意一种气体中而生成SiC；第三工序S5，使SiC曝露于含有Cl2气体的加热气氛中而生成SiCl4和多孔碳P1；第四工序S7，通过使SiCl4与Zn反应而生成金属硅P2和ZnCl2；以及第五工序S9，对ZnCl2进行电解而生成Zn和Cl2气体。将第五工序S9的Cl2气体用于第三工序S5，将第五工序S9的Zn用于第四工序S7。

公开(公告)号：CN104411635A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380032500.7

申请日：2013-05-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石川真二 ,  足立彻 ,  山下泰一郎

IPC: C01B33/021 ,  C01B31/02 ,  C01B31/36 ,  C25B1/26 ,  C25C3/34

CPC classification number: C01B33/033 ,  C01B32/00 ,  C01B32/05 ,  C01B33/021

Abstract: 本发明提供能够由稻壳制造金属硅及多孔碳的制造方法。金属硅及多孔碳的制造方法具备：第一工序S1，通过稻壳M1的加热处理而生成含有SiO2和C的稻壳炭M2；第二工序S4，使稻壳炭M4曝露于加热后的第一不活泼气体G2或还原性气体中的至少任意一种气体中而生成SiC；第三工序S5，使SiC曝露于含有Cl2气体的加热气氛中而生成SiCl4和多孔碳P1；第四工序S7，通过使SiCl4与Zn反应而生成金属硅P2和ZnCl2；以及第五工序S9，对ZnCl2进行电解而生成Zn和Cl2气体。将第五工序S9的Cl2气体用于第三工序S5，将第五工序S9的Zn用于第四工序S7。