公开(公告)号：CN118355155A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280080797.3

申请日：2022-01-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 野田和希 ,  上松康二 ,  中西文毅

IPC: C30B33/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B33/08 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种III‑V族化合物半导体单晶基板，其具有圆形的主表面，上述主表面具有定位边或者凹槽，并且具有第一区域和第一基准线，上述第一区域比第一假想线更靠内侧，上述第一假想线穿过从外周向内侧离开5mm的位置，上述第一基准线为从主表面的中心朝向定位边或者凹槽的方向上的、从主表面的中心延伸至第一假想线的假想线段，在合计九处测定点测量粒径为0.079μm以上的颗粒的个数并计算出的上述个数的标准偏差和平均值满足标准偏差/平均值≤0.9的关系，上述合计九处测定点为：主表面的中心这一处；相对于第一基准线分别具有0度、90度、180度以及270度的角度并从上述中心延伸至第一假想线的四条假想线段的中点这四处；相对于第一基准线分别具有45度、135度、225度以及315度的角度并从上述中心延伸至第一假想线的四条假想线段的终端点这四处。