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公开(公告)号：JP2021006649A
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：JP2017185027
申请日：2017-09-26
Applicant: 住友電気工業株式会社 , D.N.A.メタル株式会社
Abstract: 【課題】より簡便な方法で硬質炭素被膜を形成する方法を提供する。 【解決手段】 電源装置と、炭素材料を含む放電電極と、被膜が形成される表面を有する基材とを準備し、前記電源装置によって、前記放電電極と前記基材との間に繰り返し放電を発生させることで、前記表面に硬質炭素材料を含む被膜を形成する硬質炭素被膜の製造方法であって、前記放電を生じる雰囲気は、水素原子、酸素原子、水分子、二酸化炭素分子または酸素分子のいずれか1つまたは複数を含む雰囲気である、硬質炭素被膜の製造方法とした。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019081699A
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：JP2019005124
申请日：2019-01-16
Applicant: 住友電気工業株式会社
Abstract: 【課題】高硬度且つ高靭性を両立して、工具作製時には加工しやすく、天然品や高温高圧合成Ib品を用いた工具と同等以上に割れや欠けが発生しにくく、切削時には長寿命且つ耐欠損性の高いCVD単結晶ダイヤモンド工具の提供。 【解決手段】工具のシャンクにダイヤモンド単結晶が接合されている単結晶ダイヤモンド工具であって、前記ダイヤモンド単結晶は、シャンクと接合されている底面34から深さ50μm以内の位置にイオン注入層36を有する、単結晶ダイヤモンド工具。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2018039724A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2017188357
申请日：2017-09-28
Applicant: 住友電気工業株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , B23B27/148 , B23B2226/31 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B30/00 , C30B31/22 , Y10T407/24 , Y10T428/30
Abstract: 【課題】高硬度且つ高靭性を両立して、工具作製時には加工しやすく、天然品や高温高圧合成Ib品を用いた工具と同等以上に割れや欠けが発生しにくく、切削時には長寿命且つ耐欠損性の高いCVDダイヤモンド単結晶及びCVD単結晶ダイヤモンド工具の提供。 【解決手段】本ダイヤモンド単結晶は、CVDダイヤモンド単結晶であって、波長が350nmの光の吸収係数が25〜80cm −1 、好ましくは、30〜80cm −1 であり、厚みが1mmであるときの色が茶色から黒色である、CVDダイヤモンド単結晶、である。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2017031056A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016219340
申请日：2016-11-10
Applicant: 住友電気工業株式会社
Abstract: 【課題】主面の結晶欠陥が少ない単結晶ダイヤモンド、及び該単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体とその製造方法の提供。 【解決手段】少なくとも、板状の2つ以上の単結晶ダイヤモンドより構成されており、それぞれの単結晶ダイヤモンドが、それぞれの主面間に介在する接合層によって接合されてなることを特徴とするダイヤモンド複合体。前記ダイヤモンド複合体から接合層を境にして分離されたことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 【選択図】図1
Abstract translation: 晶体缺陷的主表面是小的单晶金刚石，以及提供有关的金刚石复合材料的制造方法，其包括单晶金刚石。 甲至少，它是由两个或两个以上的单晶金刚石板，金刚石，各单结晶金刚石的，其特征在于通过粘合由相应的主表面之间的接合层形成的 复杂。 单晶金刚石，其特征在于，通过从所述金刚石复合材料的接合层的界面分离。 点域1
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公开(公告)号：JPWO2017126561A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017001578
申请日：2017-01-18
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 住友電工ハードメタル株式会社
IPC: C30B25/02 , C30B25/18 , C23C16/27 , H01L21/205 , C30B29/04
CPC classification number: A44C27/00 , C01B32/26 , C23C16/01 , C23C16/27 , C30B25/08 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/205
Abstract: 単結晶ダイヤモンドの製造方法は、補助板の表面の少なくとも一部に保護膜を形成する工程と、ダイヤモンド種結晶基板を準備する工程と、補助板に保護膜が形成された保護膜付補助板とダイヤモンド種結晶基板とをチャンバ内に配置する工程と、チャンバ内に炭素を含むガスを導入しながらダイヤモンド種結晶基板の主面上に化学気相堆積法により単結晶ダイヤモンドを成長させる工程と、を備える。
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公开(公告)号：JPWO2017069051A1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：JP2016080499
申请日：2016-10-14
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 住友電工ハードメタル株式会社
IPC: C30B25/02 , C30B33/00 , C01B32/25 , C01B32/28 , C23C16/27 , B23B27/14 , B23B27/20 , B24D3/00 , B21C3/02 , C30B29/04
CPC classification number: B21C3/025 , B21C3/02 , B23B27/14 , B23B27/20 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/04
Abstract: 単結晶ダイヤモンドは、対向する一組の主面を備え、前記主面において、第1の方向に沿って不純物濃度が変化する。
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公开(公告)号：JP2018049868A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2016182806
申请日：2016-09-20
Applicant: 住友電気工業株式会社
Abstract: 【課題】多結晶ダイヤモンド基板と半導体層とが好適に接合され放熱特性が高い半導体積層構造体およびそれを含む半導体デバイスを提供する。【解決手段】本半導体積層構造体1は、第1主面10mおよび第2主面10nを有する多結晶ダイヤモンド基板10と、多結晶ダイヤモンド基板10の第1主面10m側に配置された少なくとも1層の半導体層12と、を含み、多結晶ダイヤモンド基板10の第1主面10mと第2主面10nとの平均結晶粒径の大小比が10以下である。【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017186255A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：JP2017136569
申请日：2017-07-12
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 住友電工ハードメタル株式会社
Abstract: 【課題】ダイヤモンド工具の性能を向上させることが可能なダイヤモンド複合体、単結晶ダイヤモンドおよびこれらの製造方法、ならびに当該単結晶ダイヤモンドを備えるダイヤモンド工具を提供する。 【解決手段】ダイヤモンド複合体の製造方法は、複数の成長セクタ21,22を含むダイヤモンド種結晶20を準備する工程と、気相合成法によりダイヤモンド種結晶20の表面20a上に単結晶ダイヤモンド10を成長させてダイヤモンド複合体30を得る工程とを備えている。ダイヤモンド複合体を得る工程は、単結晶ダイヤモンド10の成長温度に達する前にダイヤモンド種結晶20を加熱する昇温工程を含んでいる。昇温工程では、メタンガスおよび不活性ガスのうち少なくともいずれかのガスを含む雰囲気中においてダイヤモンド種結晶20が加熱される。 【選択図】図2
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