公开(公告)号：CN116157915B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202180057679.6

申请日：2021-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长田将一 ,  川村训史 ,  堀篭洋希 ,  萩原健司 ,  横田龙平

IPC: C08L101/00 ,  C08K3/22 ,  C08K3/013 ,  C08L79/00 ,  C08L63/00 ,  C08L45/00 ,  C08K5/54 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/28

Abstract: 本发明涉及热固性树脂组合物，其特征在于，其含有：(A)热固性树脂、(B)激光直接成型添加剂、(C)无机填充材料及(D)偶联剂，所述(D)偶联剂含有选自由三嗪官能团型、异氰酸酯官能团型、异氰脲酸官能团型、苯并三唑官能团型、酸酐官能团型、氮杂硅环戊烷官能团型、咪唑官能团型及含不饱和基团硅烷偶联剂组成的组中的一种以上，所述(D)偶联剂为除巯基硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂及环氧硅烷偶联剂以外的偶联剂。由此，可提供一种可提供形成在固化物的表面的镀层不会从固化物上剥离且不会产生裂纹的固化物的热固性树脂组合物。

公开(公告)号：CN115340750A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210510717.5

申请日：2022-05-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长田将一 ,  川村训史 ,  堀篭洋希 ,  萩原健司 ,  横田龙平

IPC: C08L63/04 ,  C08L63/00 ,  C08K7/18 ,  C08K3/22 ,  H01L23/29

Abstract: 提供一种高温反向偏压试验(HTRB试验)可靠性优异的用于封装的树脂组合物和半导体装置。所述用于封装的树脂组合物被用于由Si、SiC、GaN、Ga2O3或金刚石所形成的功率半导体元件的封装，且在所述用于封装的树脂组合的固化物中，在150℃、0.1Hz条件下测定的介电损耗角正切为0.50以下，以及所述半导体装置为使用所述用于封装的树脂组合物的固化物，将由Si、SiC、GaN、Ga2O3或金刚石所形成的功率半导体元件封装。

公开(公告)号：CN116157915A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180057679.6

申请日：2021-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长田将一 ,  川村训史 ,  堀篭洋希 ,  萩原健司 ,  横田龙平

IPC: H01L23/28

Abstract: 本发明涉及热固性树脂组合物，其特征在于，其含有：(A)热固性树脂、(B)激光直接成型添加剂、(C)无机填充材料及(D)偶联剂，所述(D)偶联剂含有选自由三嗪官能团型、异氰酸酯官能团型、异氰脲酸官能团型、苯并三唑官能团型、酸酐官能团型、氮杂硅环戊烷官能团型、咪唑官能团型及含不饱和基团硅烷偶联剂组成的组中的一种以上，所述(D)偶联剂为除巯基硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂及环氧硅烷偶联剂以外的偶联剂。由此，可提供一种可提供形成在固化物的表面的镀层不会从固化物上剥离且不会产生裂纹的固化物的热固性树脂组合物。