公开(公告)号：CN118355476A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280082704.0

申请日：2022-11-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田容辉

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/12 ,  B24B37/24 ,  B24B37/28

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置，具备：上下平台，其分别粘贴有研磨布；浆液供给机构，其将浆液供给到该上下平台之间；以及双面研磨装置用载具，其配设在所述上下平台之间，且形成有保持孔，该保持孔用于保持当研磨时被夹在所述上下平台之间的半导体硅晶圆，其特征在于，所述双面研磨装置用载具是与所述研磨布接触的表面和背面相对于纯水的接触角为50°以上的金属制载具，所述研磨布相对于纯水的接触角为100°以上且压缩率为5.0%以上。由此，能够提供一种表面缺陷少且雾度水平低的、具有高表面质量的双面研磨硅晶圆、及能够制造这种双面研磨硅晶圆的双面研磨装置。

公开(公告)号：CN115485813A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180031139.0

申请日：2021-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田容辉 ,  田中佑宜

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/12 ,  B24B37/28 ,  B24B41/06

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置用载具的制造方法，所述双面研磨装置用载具在具备粘贴有研磨布的上平台及下平台的双面研磨装置中使用，且具有：载具母材，其形成有用于保持晶圆的保持孔；以及树脂嵌入物，其沿着所述保持孔的内周面配置，且形成有与所述晶圆的外周部相接的内周部，该方法包括：准备工序，准备所述载具母材及比该载具母材更厚的所述树脂嵌入物；形成工序，将所述树脂嵌入物以非粘接且剥离强度为10N以上、50N以下的方式形成于所述保持孔的内周面；以及调试研磨工序，使用所述双面研磨装置，对由所述载具母材及所述树脂嵌入物构成的载具进行载荷为2级以上的多级的调试研磨。由此，提供一种双面研磨装置用载具的制造方法，可降低双面研磨装置用载具中树脂嵌入物与载具母材的高低差量的表面背面之差。

公开(公告)号：CN117561143A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280032299.1

申请日：2022-03-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田容辉 ,  田中佑宜

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种双面抛光方法，其特征在于，对晶圆进行第一抛光，在所述第一抛光后，使用含有水溶性聚合物的浆料对所述晶圆进行15秒以下的第二抛光，所述第一抛光中使用根据(通过动态散射法测定的以体积为基准的平均粒径)/(使用扫描电子显微镜测定的以个数为基准的平均实际粒径)求得的缔合度小于1.0的磨粒的浆料。由此，能够提供可获得背面经粗糙化的双面抛光晶圆的双面抛光方法及背部经粗糙化的双面抛光硅晶圆。

公开(公告)号：CN117098631A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280024026.2

申请日：2022-02-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田容辉 ,  多贺稜

IPC: B24B7/17

Abstract: 本发明是一种晶圆的加工方法，其特征在于，使用10000目以上的研磨石对晶圆的表面及与该表面为相反侧的背面进行平面磨削，以使所述背面的加工余量为所述表面的加工余量的1/4倍以下的方式对进行平面磨削后的所述晶圆进行双面研磨。由此，能够提供：一种晶圆的加工方法，其能够选择性地对晶圆的背面进行粗糙化，且能够抑制晶圆因应力而翘曲；及一种晶圆，其背面充分地粗糙化，且翘曲小。