公开(公告)号：CN100490075C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200480010125.7

申请日：2004-03-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 金谷晃一 ,  大塚彻 ,  大濑广树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12

Abstract: 一种衬托器(2)，其中在半导体基板(W)的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板(W)在凹部(2c)中受到大致水平地支承，并且所述凹部(2c)包括用以支承半导体基板(W)的外周侧凹部(20)和形成在所述外周侧凹部(20)内部且自所述外周侧凹部(20)凹入的中央侧凹部(21)，其中所述外周侧凹部(20)包括基板支承表面(20a)，所述基板支承表面自凹部(2c)的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面(20a)中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板(W)的外周边缘内部的一部分半导体基板(W)的背面。

公开(公告)号：CN1774794A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010125.7

申请日：2004-03-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 金谷晃一 ,  大塚彻 ,  大濑广树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12

Abstract: 一种衬托器(2)，其中在半导体基板(W)的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板(W)在凹部(2c)中受到大致水平地支承，并且所述凹部(2c)包括用以支承半导体基板(W)的外周侧凹部(20)和形成在所述外周侧凹部(20)内部且自所述外周侧凹部(20)凹入的中央侧凹部(21)，其中所述外周侧凹部(20)包括基板支承表面(20a)，所述基板支承表面自凹部(2c)的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面(20a)中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板(W)的外周边缘内部的一部分半导体基板(W)的背面。