公开(公告)号：CN1545725A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02816297.8

申请日：2002-08-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 户部敏视

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225

Abstract: 本发明提供一种外延晶片，在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，其特征在于：体内具有吸气能力的氧析出物密度不低于108个/cm3。另外，本发明是提供一种外延晶片的制造方法，其特征在于：用CZ法拉制添加了氮的单晶硅，将该单晶硅加工成晶片，以制造出单晶硅晶片，在该单晶硅晶片进行热处理，使将晶片的体内的具有吸气能力的尺寸的氧析出物密度不低于108个/cm3，然后在上述单晶硅晶片上进行外延生长。由此，不依存于器件工序，可确实获得一种具有高吸气能力的单晶硅晶片。

公开(公告)号：CN1395744A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01803971.5

申请日：2001-12-11

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 速水善范 ,  户部敏视 ,  小林德弘

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225

Abstract: 提供可抑制主要是直径300mm以上的柴氏硅单晶片在进行高温热处理时的滑动转位的发生，且能充分地消除表面附近的内生(Grown－in)缺陷，并提供在单晶片表层部具有DZ层，且基体中可获得具有高除气效果的高密度的氧析出物的退火单晶片。针对以柴可劳斯基(Czochralski)法制作的硅单晶片，以600－1100℃的温度范围进行第一热处理以使基质中形成氧析出物后，再以1150－1300℃的温度范围进行第二热处理。

公开(公告)号：CN1276484C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN01803971.5

申请日：2001-12-11

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 速水善范 ,  户部敏视 ,  小林德弘

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225

Abstract: 提供可抑制主要是直径300mm以上的柴氏硅单晶片在进行高温热处理时的滑动转位的发生，且能充分地消除表面附近的内生(Grown-in)缺陷，并提供在单晶片表层部具有DZ层，且基体中可获得具有高除气效果的高密度的氧析出物的退火单晶片。针对以柴可劳斯基(Czochralski)法制作的硅单晶片，以600-1100℃的温度范围进行第一热处理以使基质中形成氧析出物后，再以1150-1300℃的温度范围进行第二热处理。

公开(公告)号：CN1280879C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN02816297.8

申请日：2002-08-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 户部敏视

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225

Abstract: 本发明提供一种外延晶片，在掺杂氮的单晶硅晶片表面形成有硅外延层，其特征在于：体内具有吸气能力的氧析出物密度不低于108个/cm3。另外，本发明是提供一种外延晶片的制造方法，其特征在于：用CZ法拉制添加了氮的单晶硅，将该单晶硅加工成晶片，以制造出单晶硅晶片，在该单晶硅晶片进行热处理，使将晶片的体内的具有吸气能力的尺寸的氧析出物密度不低于108个/cm3，然后在上述单晶硅晶片上进行外延生长。由此，不依存于器件工序，可确实获得一种具有高吸气能力的单晶硅晶片。