公开(公告)号：CN1296529C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN01805741.1

申请日：2001-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  小林武史 ,  森达生 ,  布施川泉 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14

Abstract: 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法(CZ法)生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。

公开(公告)号：CN1406292A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN01805741.1

申请日：2001-12-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘 ,  小林武史 ,  森达生 ,  布施川泉 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14

Abstract: 本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法(CZ法)生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。