公开(公告)号：CN105793475B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201480065877.7

申请日：2014-11-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 宫原祐一 ,  高岛祥 ,  泽崎康彦 ,  岩崎淳

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03C3/04 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法，其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此，提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。

公开(公告)号：CN105793475A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480065877.7

申请日：2014-11-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 宫原祐一 ,  高岛祥 ,  泽崎康彦 ,  岩崎淳

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03C3/04 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法，其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系，基于该相关关系，以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围，以落入该设定的比例的范围内的方式，根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间，在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此，提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。