公开(公告)号：CN113661030A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202080026268.6

申请日：2020-02-27

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  不二越机械工业株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  丸田将史

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/08 ,  B24B37/12 ,  B24B37/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的双面研磨装置，具备：下平台，其设置为能够以旋转轴为中心进行旋转，且上表面贴附有研磨垫；上平台，其设置为能够在所述下平台的上方进行上下移动，并能够以所述旋转轴为中心进行旋转，且下表面贴附有研磨垫；以及，悬挂顶板，其设置在所述上平台的上方，其的特征在于，具备：连结部，其连结所述悬挂顶板和所述上平台；以及，致动器，其被设置在所述悬挂顶板与所述上平台之间且与所述连结部的位置不同，并能够使上平台形状改变。由此，提供一种平台的移动机构，其在悬挂形态的双面研磨装置中不促进平台的热变形，且能够使平台形状改变为各种形状。

公开(公告)号：CN117300886B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202310755108.0

申请日：2023-06-25

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 丸田将史

IPC: B24B37/08 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00

Abstract: 本发明提供双面研磨装置，将测定孔和厚度测定传感器设置于通过工件的中心附近(数据获取范围)的频率高的配设范围。双面研磨装置(10)将上平台(14)或下平台(13)的中心与用户事先设定的任意透孔(22)的中心的距离为最短或最长的透孔的中心位置作为第1基准位置(E)，相对于作为透孔的半径的30％以内的规定的长度的第1距离(G)，将从第1基准位置向托架的中心的方向分离第1距离的1/2的长度的位置作为第2基准位置(F)，厚度测定传感器(34)设置在俯视时以第2基准位置为中心的第1距离的范围内，厚度测定传感器构成为经由配设有厚度测定传感器的一侧的上平台或下平台所设置的测定孔(35)来测定被保持于透孔的状态下的工件的厚度。

公开(公告)号：CN101264585A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085814.4

申请日：2008-03-14

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 大西进 ,  丸田将史

IPC: B24B7/17 ,  H01L21/304 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B37/08 ,  B24B37/205 ,  B24B49/12

Abstract: 一研磨晶片两面的双面研磨装置，其不仅能可靠地测量晶片外侧部分的厚度而且能测量其中心部分的厚度。该双面研磨装置包括：一下研磨板；一由框架保持的上研磨板；以及一具有一保持晶片的通孔的载体。供一激光束通过其中的一窗口部分形成在上研磨板的一部分内，由载体保持的晶片通过上研磨板的该部分的下面。一光学厚度测量设备设置在框架的一部分上，当上研磨板转动时，窗口部分在框架的该部分的下面通过。厚度测量设备发射通过窗口部分的激光束，接收从晶片上表面和下表面反射出来的反射光束，并根据反射光束的峰值计算晶片厚度。

公开(公告)号：CN117300886A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310755108.0

申请日：2023-06-25

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 丸田将史

IPC: B24B37/08 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00

Abstract: 本发明提供双面研磨装置，将测定孔和厚度测定传感器设置于通过工件的中心附近(数据获取范围)的频率高的配设范围。双面研磨装置(10)将上平台(14)或下平台(13)的中心与用户事先设定的任意透孔(22)的中心的距离为最短或最长的透孔的中心位置作为第1基准位置(E)，相对于作为透孔的半径的30％以内的规定的长度的第1距离(G)，将从第1基准位置向托架的中心的方向分离第1距离的1/2的长度的位置作为第2基准位置(F)，厚度测定传感器(34)设置在俯视时以第2基准位置为中心的第1距离的范围内，厚度测定传感器构成为经由配设有厚度测定传感器的一侧的上平台或下平台所设置的测定孔(35)来测定被保持于透孔的状态下的工件的厚度。

公开(公告)号：CN101264585B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810085814.4

申请日：2008-03-14

Applicant: 不二越机械工业株式会社

Inventor： 大西进 ,  丸田将史

IPC: B24B7/17 ,  H01L21/304 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B37/08 ,  B24B37/205 ,  B24B49/12

Abstract: 一研磨晶片两面的双面研磨装置，其不仅能可靠地测量晶片外侧部分的厚度而且能测量其中心部分的厚度。该双面研磨装置包括：一下研磨板；一由框架保持的上研磨板；以及一具有一保持晶片的通孔的载体。供一激光束通过其中的一窗口部分形成在上研磨板的一部分内，由载体保持的晶片通过上研磨板的该部分的下面。一光学厚度测量设备设置在框架的一部分上，当上研磨板转动时，窗口部分在框架的该部分的下面通过。厚度测量设备发射通过窗口部分的激光束，接收从晶片上表面和下表面反射出来的反射光束，并根据反射光束的峰值计算晶片厚度。