公开(公告)号：CN1046600C

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN95107780.5

申请日：1995-06-28

Applicant: 冈谷电机产业株式会社

Inventor： 小田征一郎 ,  井田顺一 ,  向井昭雄 ,  河西良人

IPC: H01T4/12

CPC classification number: H01T4/12 ,  H01J17/04 ,  H01J17/40 ,  H01T1/20

Abstract: 一种放电式过电压吸收元件及其制造方法。其结构包括：在气密容器内充入放电气体，将接有引线的多个放电电极平行或对顶放置，形成放电间隙；在容器的内表面上形成沿面放电性能良好的层体，经过加热等方式进行密封，制成元件。其特征为：在上述引线与层体之间，经过热处理加工，形成微隙，或采用激光照射的方式等，除去容器内表面上的一部分层体，形成缺口，并在与缺口相对应的位置处做出微凹口，借以提高元件的放电响应性能。

公开(公告)号：CN1118944A

公开(公告)日：1996-03-20

申请号：CN95107780.5

申请日：1995-06-28

Applicant: 冈谷电机产业株式会社

Inventor： 小田征一郎 ,  井田顺一 ,  向井昭雄 ,  河西良人

IPC: H01T4/12

CPC classification number: H01T4/12 ,  H01J17/04 ,  H01J17/40 ,  H01T1/20

Abstract: 一种放电式过电压吸收元件及其制造方法。其结构包括：在气密容器内充入放电气体，将接有引线的多个放电电极平行或对顶放置，形成放电间隙；在容器的内表面上形成沿面放电性能良好的层体，经过加热等方式进行密封，制成元件。其特征为：在上述引线与层体之间，经过热处理加工，形成微隙，或采用激光照射的方式等，除去容器内表面上的一部分层体，形成缺口，并在与缺口相对应的位置处做出微凹口，借以提高元件的放电响应性能。