公开(公告)号：CN101414612A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810213000.4

申请日：2008-08-20

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 富田宣子

IPC: H01L27/144 ,  G01J1/42 ,  G01J1/44

CPC classification number: H01L31/103 ,  G01J3/46 ,  G01J3/465 ,  H01L31/02019 ,  H03F3/08

Abstract: 本发明提供半导体受光元件和照度传感器，不仅抑制所照射的光的长波长分量而且抑制短波长分量的灵敏度、并具有与人的可见度特性大致一致的光谱灵敏度特性。半导体受光元件具有：P型阱区域和N型阱区域，该两者沿着P型半导体基板的表面并排设置；高浓度N型区域，其形成在P型阱区域的表面附近；以及高浓度P型区域，其形成在N型阱区域的表面附近。提取第1光电流和第2光电流，并对第1和第2光电流实施规定的运算处理来得到输出电流，该第1光电流流经由P型阱区域和高浓度N型区域形成的PN结，该第2光电流是将流经由N型阱区域和高浓度P型区域形成的PN结的光电流与流经由N型阱区域和P型半导体基板形成的PN结的光电流相加而得到的光电流。

公开(公告)号：CN101414612B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200810213000.4

申请日：2008-08-20

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 富田宣子

IPC: H01L27/144 ,  G01J1/42 ,  G01J1/44

CPC classification number: H01L31/103 ,  G01J3/46 ,  G01J3/465 ,  H01L31/02019 ,  H03F3/08

Abstract: 本发明提供半导体受光元件和照度传感器，不仅抑制所照射的光的长波长分量而且抑制短波长分量的灵敏度、并具有与人的可见度特性大致一致的光谱灵敏度特性。半导体受光元件具有：P型阱区域和N型阱区域，该两者沿着P型半导体基板的表面并排设置；高浓度N型区域，其形成在P型阱区域的表面附近；以及高浓度P型区域，其形成在N型阱区域的表面附近。提取第1光电流和第2光电流，并对第1和第2光电流实施规定的运算处理来得到输出电流，该第1光电流流经由P型阱区域和高浓度N型区域形成的PN结，该第2光电流是将流经由N型阱区域和高浓度P型区域形成的PN结的光电流与流经由N型阱区域和P型半导体基板形成的PN结的光电流相加而得到的光电流。