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公开(公告)号：CN1794443A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510108064.4
申请日：2005-09-29
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 猪野好彦
IPC: H01L23/02
CPC classification number: G01P15/18 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P2015/084 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 提供厚度较薄且具有良好的盖章特性的半导体器件用封装。将容纳加速度传感器10等半导体器件的陶瓷容器20覆盖并密封的盖30A是在42合金板31表面设置了电泳涂漆32形成的。电泳涂漆32通过在100μm左右厚度的42合金板31的表面镀铬，并在该镀铬上形成黑色化合物得到的。盖30A由热固性树脂41固定在陶瓷容器20的侧壁部22的上部。热固性树脂41固化后的厚度调整为20～30μm。以往的陶瓷盖由于强度等原因，厚度必须为200μm以上，且激光加工很困难。通过使用该盖30A，厚度能够减半，且利用激光的盖章也变得容易。
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公开(公告)号：CN101432870A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015124.5
申请日：2007-04-09
Applicant: 冲电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/13 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/1058 , H01L2924/01046 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及两面电极结构的半导体装置及其制造方法。在本发明中，在由进行多层布线的多层有机衬底构成的封装衬底上形成凹部，将LSI芯片收存到该凹部内。在将与该多层布线连接的LSI芯片进行密封后的树脂的上表面进行布线，将该布线与在封装衬底的正面连接到多层布线的端子用布线、以及树脂上表面的外部连接用的正面凸起电极连接。在封装衬底的背面侧形成与多层布线连接的外部连接用的背面凸起电极。
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公开(公告)号：CN1905168A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610077373.4
申请日：2006-04-29
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 猪野好彦
IPC: H01L23/10 , H01L23/29 , H01L21/52 , C09J201/04 , C09J183/00 , C09K3/10
CPC classification number: G01P15/18 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P2015/084 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247
Abstract: 本发明的课题是提供当热传递到封装时也能够稳定地工作的半导体器件及其制造方法以及在其中所使用的粘接材料及其制造方法。半导体加速度传感器(1)在内部具有空腔(21c)，由用下部容器(21)和上部盖(25)构成的封装、半导体加速度传感器芯片(10)和添加了作为薄片状的金属片的粒子(31b)的硅酮树脂等的弹性率比较低的树脂(31a)构成，具备将半导体加速度传感器芯片(10)固定在空腔(21c)内部的粘接部(31)。
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公开(公告)号：CN101432870B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200780015124.5
申请日：2007-04-09
Applicant: 冲电气工业株式会社
CPC classification number: H01L23/13 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/1058 , H01L2924/01046 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及两面电极结构的半导体装置及其制造方法。在本发明中，在由进行多层布线的多层有机衬底构成的封装衬底上形成凹部，将LSI芯片收存到该凹部内。在将与该多层布线连接的LSI芯片进行密封后的树脂的上表面进行布线，将该布线与在封装衬底的正面连接到多层布线的端子用布线、以及树脂上表面的外部连接用的正面凸起电极连接。在封装衬底的背面侧形成与多层布线连接的外部连接用的背面凸起电极。
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公开(公告)号：CN1873421A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610068046.2
申请日：2006-03-24
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 猪野好彦
IPC: G01P15/00
CPC classification number: G01P15/0802 , G01P1/023
Abstract: 提供一种半导体加速度传感器装置及其制造方法，可以抑制因周围温度变化在加速度传感器芯片中产生的畸变而使半导体加速度传感器装置的检测精度提高。该半导体加速度传感器装置包括：将加速度传感器芯片容纳在内部的中空的封装，在封装的内部底面的预定区域内形成有凹部；填充凹部的具有粘接性的低弹性构件；以及配置在低弹性构件上的加速度传感器芯片，低弹性构件与加速度传感器芯片的粘接面比底面高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1794443B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200510108064.4
申请日：2005-09-29
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 猪野好彦
IPC: H01L23/02
CPC classification number: G01P15/18 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P2015/084 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 提供厚度较薄且具有良好的盖章特性的半导体器件用封装。将容纳加速度传感器10等半导体器件的陶瓷容器20覆盖并密封的盖30A是在42合金板31表面设置了电泳涂漆32形成的。电泳涂漆32通过在100μm左右厚度的42合金板31的表面镀铬，并在该镀铬上形成黑色化合物得到的。盖30A由热固性树脂41固定在陶瓷容器20的侧壁部22的上部。热固性树脂41固化后的厚度调整为20～30μm。以往的陶瓷盖由于强度等原因，厚度必须为200μm以上，且激光加工很困难。通过使用该盖30A，厚度能够减半，且利用激光的盖章也变得容易。
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公开(公告)号：CN101409264B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810173393.0
申请日：2005-09-29
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 猪野好彦
CPC classification number: G01P15/18 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P2015/084 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 提供厚度较薄且具有良好的盖章特性的半导体器件用封装。将容纳加速度传感器(10)等半导体器件的陶瓷容器(20)覆盖并密封的盖(30A)是在42合金板(31)表面设置了电泳涂漆(32)形成的。电泳涂漆(32)通过在100μm左右厚度的42合金板(31)的表面镀铬，并在该镀铬上形成黑色化合物得到的。盖(30A)由热固性树脂(41)固定在陶瓷容器(20)的侧壁部(22)的上部。热固性树脂(41)固化后的厚度调整为20～30μm。以往的陶瓷盖由于强度等原因，厚度必须为200μm以上，且激光加工很困难。通过使用该盖(30A)，厚度能够减半，且利用激光的盖章也变得容易。
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公开(公告)号：CN1873421B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200610068046.2
申请日：2006-03-24
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 猪野好彦
IPC: G01P15/00
CPC classification number: G01P15/0802 , G01P1/023
Abstract: 提供一种半导体加速度传感器装置及其制造方法，可以抑制因周围温度变化在加速度传感器芯片中产生的畸变而使半导体加速度传感器装置的检测精度提高。该半导体加速度传感器装置包括：将加速度传感器芯片容纳在内部的中空的封装，在封装的内部底面的预定区域内形成有凹部；填充凹部的具有粘接性的低弹性构件；以及配置在低弹性构件上的加速度传感器芯片，低弹性构件与加速度传感器芯片的粘接面比底面高。
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公开(公告)号：CN100555607C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610077373.4
申请日：2006-04-29
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 猪野好彦
IPC: H01L23/10 , H01L23/29 , H01L21/52 , C09J201/04 , C09J183/00 , C09K3/10
CPC classification number: G01P15/18 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P2015/084 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/92247
Abstract: 本发明的课题是提供当热传递到封装时也能够稳定地工作的半导体器件及其制造方法以及在其中所使用的粘接材料及其制造方法。半导体加速度传感器(1)在内部具有空腔(21c)，由用下部容器(21)和上部盖(25)构成的封装、半导体加速度传感器芯片(10)和添加了作为薄片状的金属片的粒子(31b)的硅酮树脂等的弹性率比较低的树脂(31a)构成，具备将半导体加速度传感器芯片(10)固定在空腔(21c)内部的粘接部(31)。
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公开(公告)号：CN101409264A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810173393.0
申请日：2005-09-29
Applicant: 冲电气工业株式会社
Inventor： 猪野好彦
CPC classification number: G01P15/18 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P2015/084 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 提供厚度较薄且具有良好的盖章特性的半导体器件用封装。将容纳加速度传感器10等半导体器件的陶瓷容器20覆盖并密封的盖30A是在42合金板31表面设置了电泳涂漆32形成的。电泳涂漆32通过在100μm左右厚度的42合金板31的表面镀铬，并在该镀铬上形成黑色化合物得到的。盖30A由热固性树脂41固定在陶瓷容器20的侧壁部22的上部。热固性树脂41固化后的厚度调整为20～30μm。以往的陶瓷盖由于强度等原因，厚度必须为200μm以上，且激光加工很困难。通过使用该盖30A，厚度能够减半，且利用激光的盖章也变得容易。
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