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公开(公告)号：CN101194351A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200580050010.5
申请日：2005-06-28
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 谢亚宏
CPC classification number: H01L21/31604 , C23C16/045 , C23C16/45557 , C23C16/481 , H01L21/02271 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明披露了一种将保形膜沉积到高纵横比空间中的方法，包括在沉积之前在该空间内部形成气体前体的梯度的步骤。该梯度可以例如通过降低沉积室内的压力或通过该沉积室的部分抽空来形成。然后衬底的温度被迅速升高，从而将前体物质优先地沉积在该高纵横比空间的封闭或“深的”部分内。该过程可被重复多个循环以完全地填充该空间。该过程使得高纵横比空间被填充，而不形成任何可能对所得装置的性能具有不利影响的空隙或孔眼。
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公开(公告)号：CN101228616A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200580051133.0
申请日：2005-07-25
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
CPC classification number: H01L29/1054 , B82Y10/00 , H01L21/26506 , H01L21/26533 , H01L21/266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于控制位于衬底上的硅锗缓冲层中的位错位置的方法，包括将应变硅锗层沉积在衬底上以及用位错诱导剂照射该硅锗层的一个或多个区域。位错诱导剂可包括离子、电子、或其它辐射源。硅锗层中的位错位于一个或多个区域。然后可用退火工艺处理该衬底和应变硅锗层以将该应变硅锗层转变成弛豫状态。可将应变硅或硅锗顶层沉积在该弛豫硅锗层上。然后基于半导体的器件可在应变硅或硅锗层的未受损区域中制造。穿透位错被限制在可转化成SiO2隔离区域的受损区内。
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公开(公告)号：CN101213029A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200580050148.5
申请日：2005-06-28
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 谢亚宏
IPC: B05D3/02
CPC classification number: B05D3/0218 , B05D1/185 , B05D1/208 , B05D3/0254 , B05D3/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T156/17
Abstract: 一种在基板上形成具有周期性纳米尺寸特征(例如，孔)的自组装膜的方法，该方法包括在基板上提供膜前体的步骤，其中膜前体保持在无定形状态。在膜前体为嵌段共聚物的情况下，提供加热件。随后基板和加热件相对于彼此移动，以将基板上的膜前体的一部分的温度升高到它的玻璃化转变温度以上。基板与加热件之间的相对移动继续，直到自组装结晶膜形成在基板表面上为止。在替换实施例中，提供pH分配件以将pH调节剂分配到基板上，从而促进结晶膜的自组装。
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公开(公告)号：CN1922734A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200480032390.5
申请日：2004-12-10
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 谢亚宏
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/84 , H01L23/142 , H01L23/3736 , H01L23/552 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L29/78603 , H01L2223/6688 , H01L2924/0002 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成电路叠层，具有用于高性能混合信号集成电路应用的金属衬底。该金属衬底提供充分改进的串扰隔离，增强的散热以及到可靠的低阻抗地的顺畅通路。在一个实施例中，金属层具有绝缘填充的沟槽或孔穴的区域以及设置在金属衬底和硅集成电路层之间的诸如未氧化多孔硅的绝缘体层。该叠层还具有安装到金属衬底上并且横切硅和绝缘层由此使噪声敏感元件与噪声产生元件在芯片上隔离开的多个金属壁或沟槽。在另一个实施例中，将该叠层安置到柔性基底以限制芯片的弯曲。
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公开(公告)号：CN100568483C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200580050240.1
申请日：2005-06-28
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 谢亚宏
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76227 , H01L21/76237 , H01L21/76245
Abstract: 形成用于例如浅沟槽隔离中的浅沟槽的方法，包括提供p型硅衬底，和在p型硅衬底上形成一种层的步骤，其中，该层包括介于n型硅之间的p型硅。然后使介于n型硅之间的p型硅层经受阳极氧化处理以形成多孔硅。然后多孔硅区被氧化。可以控制硅层的孔隙度以形成隔离区域，该区域或者基本上与n型顶层的上表面齐平、或者高于或低于n型顶层的上表面。通过例如调整阳极氧化时间，可得到浅沟槽的退化的横截面，该横截面轮廓形状导致的相邻器件间的提高的隔离效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541725C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200580050155.5
申请日：2005-06-28
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 谢亚宏
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/187
Abstract: 一种形成无位错应变硅薄膜的方法，包括提供两个弯曲的硅衬底的步骤。一个衬底通过在后表面上存在二氧化硅而弯曲。另一衬底通过存在氮化硅层而弯曲。对其中一个衬底进行氢注入，并且所述两个衬底在退火处理中彼此结合。将这两个衬底分离，从而将应变硅层留在一个衬底的前侧。接着，去除后侧面上的二氧化硅层或氮化硅层以使所述衬底回复到基本上为平面的状态。可以采用所述方法形成无位错应变硅薄膜。所述薄膜可以处于拉伸或压缩应变下。
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公开(公告)号：CN101443915B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200580050188.X
申请日：2005-06-28
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 谢亚宏
CPC classification number: H01S5/18341 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L33/0066 , H01L33/0087 , H01L33/20 , H01S5/0207 , H01S5/021 , H01S5/18308 , H01S5/18369 , H01S5/3224 , H01S5/341 , H01S5/3412 , Y10S977/784 , Y10S977/951
Abstract: 一种在硅衬底上形成光学活性区的方法包括以下步骤：在硅衬底上外延生长硅缓冲层；以及外延生长其中置有多个量子点阵列的SiGe覆层，其中，量子点由与硅缓冲层晶格失配的化合物半导体材料形成。可以将光学活性区结合到诸如发光二极管、激光二极管、和光探测器的器件中。
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公开(公告)号：CN101213029B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200580050148.5
申请日：2005-06-28
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 谢亚宏
IPC: B05D3/02
CPC classification number: B05D3/0218 , B05D1/185 , B05D1/208 , B05D3/0254 , B05D3/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T156/17
Abstract: 一种在基板上形成具有周期性纳米尺寸特征(例如，孔)的自组装膜的方法，该方法包括在基板上提供膜前体的步骤，其中膜前体保持在无定形状态。在膜前体为嵌段共聚物的情况下，提供加热件。随后基板和加热件相对于彼此移动，以将基板上的膜前体的一部分的温度升高到它的玻璃化转变温度以上。基板与加热件之间的相对移动继续，直到自组装结晶膜形成在基板表面上为止。在替换实施例中，提供pH分配件以将pH调节剂分配到基板上，从而促进结晶膜的自组装。
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公开(公告)号：CN100474538C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580050010.5
申请日：2005-06-28
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 谢亚宏
CPC classification number: H01L21/31604 , C23C16/045 , C23C16/45557 , C23C16/481 , H01L21/02271 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76877
Abstract: 本发明披露了一种将保形膜沉积到高纵横比空间中的方法，包括在沉积之前在该空间内部形成气体前体的梯度的步骤。该梯度可以例如通过降低沉积室内的压力或通过该沉积室的部分抽空来形成。然后衬底的温度被迅速升高，从而将前体物质优先地沉积在该高纵横比空间的封闭或“深的”部分内。该过程可被重复多个循环以完全地填充该空间。该过程使得高纵横比空间被填充，而不形成任何可能对所得装置的性能具有不利影响的空隙或孔眼。
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公开(公告)号：CN101208792A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200580050240.1
申请日：2005-06-28
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 谢亚宏
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76227 , H01L21/76237 , H01L21/76245
Abstract: 形成用于例如浅沟槽隔离中的浅沟槽的方法，包括提供p型硅衬底，和在p型硅衬底上形成一种层的步骤，其中，该层包括介于n型硅之间的p型硅。然后使介于n型硅之间的p型硅层经受阳极氧化处理以形成多孔硅。然后多孔硅区被氧化。可以控制硅层的孔隙度以形成隔离区域，该区域或者基本上与n型顶层的上表面齐平、或者高于或低于n型顶层的上表面。通过例如调整阳极氧化时间，可得到浅沟槽的退化的横截面，该横截面轮廓形状导致的相邻器件间的提高的隔离效果。
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