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公开(公告)号：CN107068204B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201611253163.6
申请日：2012-11-14
Applicant: 加州大学评议会
IPC: G21B1/05
Abstract: 本发明提供了便于形成和维持新颖高性能场反向配置（FRC）的系统和方法。用于高性能FRC（HPF）的FTC系统包括由两个直径对置的反向场θ箍缩形成部段和超过这些形成部段的两个偏滤器包围的中央约束容器以控制中性粒子密度和杂质污染。一种磁系统包括沿着FRC系统部件在轴向定位的一系列准直流线圈，在约束腔室与相邻形成部段之间的准直流镜线圈以及在形成部段与偏滤器之间的镜插塞。形成部段包括模块式脉冲功率形成系统，其允许FRC在现场形成并且然后加速并喷射（=静态形成）或者同时形成并加速（=动态形成）。FRC系统还包括中性原子束喷射器、球团喷射器、吸杂系统、轴向等离子体枪和通量表面偏压电极。
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公开(公告)号：CN107068204A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611253163.6
申请日：2012-11-14
Applicant: 加州大学评议会
IPC: G21B1/05
Abstract: 本发明提供了便于形成和维持新颖高性能场反向配置（FRC）的系统和方法。用于高性能FRC（HPF）的FTC系统包括由两个直径对置的反向场θ箍缩形成部段和超过这些形成部段的两个偏滤器包围的中央约束容器以控制中性粒子密度和杂质污染。一种磁系统包括沿着FRC系统部件在轴向定位的一系列准直流线圈，在约束腔室与相邻形成部段之间的准直流镜线圈以及在形成部段与偏滤器之间的镜插塞。形成部段包括模块式脉冲功率形成系统，其允许FRC在现场形成并且然后加速并喷射（=静态形成）或者同时形成并加速（=动态形成）。FRC系统还包括中性原子束喷射器、球团喷射器、吸杂系统、轴向等离子体枪和通量表面偏压电极。
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公开(公告)号：CN103918034A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280055842.6
申请日：2012-11-14
Applicant: 加州大学评议会
IPC: G21B1/05
CPC classification number: G21B1/052 , G21B1/15 , Y02E30/122
Abstract: 本发明提供了便于形成和维持新颖高性能场反向配置（FRC）的系统和方法。用于高性能FRC（HPF）的FTC系统包括由两个直径对置的反向场θ箍缩形成部段和超过这些形成部段的两个偏滤器包围的中央约束容器以控制中性粒子密度和杂质污染。一种磁系统包括沿着FRC系统部件在轴向定位的一系列准直流线圈，在约束腔室与相邻形成部段之间的准直流镜线圈以及在形成部段与偏滤器之间的镜插塞。形成部段包括模块式脉冲功率形成系统，其允许FRC在现场形成并且然后加速并喷射（=静态形成）或者同时形成并加速（=动态形成）。FRC系统还包括中性原子束喷射器、球团喷射器、吸杂系统、轴向等离子体枪和通量表面偏压电极。
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公开(公告)号：CN103918034B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280055842.6
申请日：2012-11-14
Applicant: 加州大学评议会
IPC: G21B1/05
CPC classification number: G21B1/052 , G21B1/15 , Y02E30/122
Abstract: 器、球团喷射器、吸杂系统、轴向等离子体枪和通本发明提供了便于形成和维持新颖高性能 量表面偏压电极。场反向配置（FRC）的系统和方法。用于高性能FRCHPF）的FTC系统包括由两个直径对置的反向场θ箍缩形成部段和超过这些形成部段的两个偏滤器包围的中央约束容器以控制中性粒子密度和杂质污染。一种磁系统包括沿着FRC系统部件在轴向定位的一系列准直流线圈，在约束腔室与相邻形成部段之间的准直流镜线圈以及在形成部段与偏滤器之间的镜插塞。形成部段包括模块式脉冲功率形成系统，其允许FRC在现场形成并且
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