公开(公告)号：CN101238527A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680013374.0

申请日：2006-04-21

Applicant: 加州大学评议会

Inventor： P·J·伯克 ,  Z·于

IPC: H01B1/04

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够以高频传送电流的纳米管互连，以用作高频电路的高速互连。已经显示出，单壁纳米管的动态或AC电导率一直到至少10GHz都与它们的DC电导率相等，从而表明纳米管互连的载流能力能够被扩展至高频(微波)范围而没有退化。因此，纳米管互连可以被用作高频电路(例如RF和微波电路)和高频纳米级电路中的高速互连。在一个优选实施例中，纳米管互连包括金属单壁纳米管(SWNT)，尽管也可以使用其它类型的纳米管，例如多壁碳纳米管(MWNT)、所有金属纳米管的绳、以及包括半导体纳米管和金属纳米管的混合物的绳。纳米管互连的应用包括数字和模拟电子电路。

公开(公告)号：CN101208826A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200580027364.8

申请日：2005-08-12

Applicant: 加州大学评议会

Inventor： P·J·伯克

IPC: H01Q1/38

CPC classification number: H01Q1/36 ,  B82Y99/00 ,  H01Q1/368 ,  H01Q3/2676 ,  H04B1/38 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/752 ,  Y10S977/762 ,  Y10T29/49016

Abstract: 去往或来自纳米器件的通信被提供以基于纳米结构的天线，优选地，该天线是用单壁纳米管(SWNT)形成的，但其并不局限于此。其他那些基于纳米结构的天线包括双壁纳米管、半导体纳米线、金属纳米线等等。通过使用基于纳米结构的天线，消除了向纳米器件提供物理通信连接的需要，同时仍旧允许纳米器件与其他纳米器件或外部系统之间的通信，即：所述外部系统是大于纳米级的系统，例如借助诸如CMOS、GaAs、双极工艺等半导体制造工艺形成的系统。