公开(公告)号：TW400553B

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：TW086107874

申请日：1997-06-07

Applicant: 加州大學董事

Inventor： 隆那德G.墨斯克 ,  梅迪巴魯奇 ,  威伯特J.西卡斯

IPC: H01L

CPC classification number: C23C14/5806 ,  C23C14/48 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/30426

Abstract: 電子發射器之功函數，可使用離子佈植在表面上形成一功函數修正層而得以修正。方法的開始是，在一受控制的環境下，在電子發射器的表面之下，以選定的元素作低能量佈植。在某些情況下，被佈植之物種夠深，而在接下來的低溫加工中不會與大氣反應。在這些情況下，在一受控制的環境(如，真空和/或反應性氣體)中，使用對於發射器作升溫的熱處理，而將被佈植物種偏析到發射表面。被佈植離子在表面上生成一功函數修正層，例如，在發射器表面頂部以被佈植物種之薄層形式而生成，或在發射器表面以化合物或合金層的形式生成。依被佈植之物種、起始之發射器物質、及受控制之環境而定，這些層會增加或減少發射器之功函數。。

Abstract in simplified Chinese: 电子发射器之功函数，可使用离子布植在表面上形成一功函数修正层而得以修正。方法的开始是，在一受控制的环境下，在电子发射器的表面之下，以选定的元素作低能量布植。在某些情况下，被布植之物种够深，而在接下来的低温加工中不会与大气反应。在这些情况下，在一受控制的环境(如，真空和/或反应性气体)中，使用对于发射器作升温的热处理，而将被布植物种偏析到发射表面。被布植离子在表面上生成一功函数修正层，例如，在发射器表面顶部以被布植物种之薄层形式而生成，或在发射器表面以化合物或合金层的形式生成。依被布植之物种、起始之发射器物质、及受控制之环境而定，这些层会增加或减少发射器之功函数。。