抗CD19/CD22/CD3三特异性抗体及用途

    公开(公告)号:CN114853897B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202110429043.1

    申请日:2021-04-15

    Abstract: 本发明涉及生物技术领域,具体涉及一种抗CD19/CD22/CD3三特异性抗体以及该类抗体的用途。本发明所述三特异性抗体是以CD3靶向第一结构域抗体片段Fab作为结构基础,同时增加了靶向CD19和CD22两种肿瘤相关抗原的抗体片段,分别为第二结构域和第三结构域,第二结构域与第三结构域可通过连接肽(Linker)连接至Fab重链可变区N端、重链恒定区(CH1)结构域的184S‑187L之间(并缺失185S 186G)、重链恒定区C端;或连接至Fab轻链可变区N端、轻链恒定区(CL)结构域171S‑173D之间(并缺失172K)、轻链恒定区C端。本发明所述的抗CD19/CD22/CD3三特异性抗体能够有效介导T细胞对血液肿瘤的识别杀伤活性,防止肿瘤抗原免疫逃逸或者博纳吐单抗治疗引发耐药性等问题,具有协同靶向治疗,增强免疫治疗效果的功能。

    一种新型双特异性嵌合抗原受体的构建及其应用

    公开(公告)号:CN114478803B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202210126836.0

    申请日:2022-02-11

    Abstract: 本发明提供了一种新型双特异性嵌合抗原受体(CAR)的构建及其应用,属于免疫治疗技术领域。本发明提供的CAR包括:抗原结合结构域、连接肽、铰链区、跨膜结构域、4‑1BB共刺激信号传导区、CD3ζ信号传导结构域;所述抗原结合结构域包括抗CD19scFv和抗CD22纳米抗体,或包括抗Her2scFv和能够识别IGF1R的配体。本发明提供的CAR‑T具有与两种靶抗原同时结合的能力,与单靶点CAR‑T相比具有更强的杀伤活性和细胞因子释放能力。本发明提供的双特异性CAR‑T细胞是基于反向平行β折叠连接环状设计(BS Loop)的双特异性CAR‑T细胞,两个抗原结合结构域都能很好的发挥作用,互不影响,与其他线性串联或者已报道连接环状设计的双特异性CAR‑T细胞相比,具有更强的肿瘤杀伤活性和T细胞活化增殖能力。

    半导体晶体管及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115050835A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210633284.2

    申请日:2022-06-06

    Abstract: 本公开提供了一种半导体晶体管及其制备方法。本公开的一些实施例中,半导体晶体管,包括:衬底层、沟道层、源极、漏极和栅叠层结构,栅叠层结构包括栅介质层和位于栅介质层之上的栅极,栅介质层形成于沟道层之上,半导体晶体管还包括:低k侧墙,低k侧墙形成于沟道层之上的栅叠层结构两侧;源极与栅叠层结构一侧的低k侧墙接触并同时与沟道层的端部和顶部接触;漏极与栅叠层结构另一侧的低k侧墙接触并同时与沟道层的端部和顶部接触;其中,源极与沟道层顶部的接触长度和漏极与沟道层顶部的接触长度相同。本公开的半导体晶体管具有基于全面接触方式的自对准结构,沟道层、栅叠层结构和源漏极的接触区域高精度对准,能够在缩减接触长度的同时降低接触电阻。

    抗CD19/CD22/CD3三特异性抗体及用途

    公开(公告)号:CN114853897A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202110429043.1

    申请日:2021-04-15

    Abstract: 本发明涉及生物技术领域,具体涉及一种抗CD19/CD22/CD3三特异性抗体以及该类抗体的用途。本发明所述三特异性抗体是以CD3靶向第一结构域抗体片段Fab作为结构基础,同时增加了靶向CD19和CD22两种肿瘤相关抗原的抗体片段,分别为第二结构域和第三结构域,第二结构域与第三结构域可通过连接肽(Linker)连接至Fab重链可变区N端、重链恒定区(CH1)结构域的184S‑187L之间(并缺失185S 186G)、重链恒定区C端;或连接至Fab轻链可变区N端、轻链恒定区(CL)结构域171S‑173D之间(并缺失172K)、轻链恒定区C端。本发明所述的抗CD19/CD22/CD3三特异性抗体能够有效介导T细胞对血液肿瘤的识别杀伤活性,防止肿瘤抗原免疫逃逸或者博纳吐单抗治疗引发耐药性等问题,具有协同靶向治疗,增强免疫治疗效果的功能。

    一种碳基纳米材料晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN102354668A

    公开(公告)日:2012-02-15

    申请号:CN201110308483.8

    申请日:2011-10-12

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种由碳纳米管和石墨烯组成的碳基纳米材料晶体管的制备方法。该方法首先在基底上排列金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管,并用导电材料将碳纳米管两端引出电极。在碳纳米管上方沉积一层介质材料,然后将石墨烯转移到淀积有介质材料的碳纳米管上,将碳纳米管的电极引出,并在石墨烯的两端沉积导电材料形成电极。本发明可以同时制备出两种结构的碳基纳米材料晶体管,即半导体性碳纳米管做沟道、石墨烯做栅电极的晶体管和金属性碳纳米管做栅电极、石墨烯做沟道的晶体管结构。

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