公开(公告)号：CN104697946B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510061035.0

申请日：2015-02-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  唐静怡 ,  邓时滨 ,  康黎星 ,  胡悦 ,  张锦

IPC: G01N21/31

Abstract: 本发明公开了一种衬底上碳纳米管水平阵列密度的快速光学表征方法。该方法包括如下步骤：将单根碳纳米管的光学吸收性质推广至宏观材料中，将二维材料(如石墨烯)的光学表征方法引入碳纳米管水平阵列领域，建立光学衬度与碳纳米管水平阵列密度及不同类型碳纳米管比例之间的定量公式，利用交叉偏振方法显著提高碳纳米管的光学信号(10‑100倍)，实现所述高密度碳纳米管水平阵列的光学表征。本发明提供的方法，克服了传统表征方法耗时、操作复杂、易损伤样品的缺点，实现了衬底上碳纳米管密度和类型的快速、准确、无损伤的表征，可广泛应用于碳纳米管的生长和测试实验中，为优化碳纳米管生长方法提供必不可少的监控和反馈措施。

公开(公告)号：CN104697946A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510061035.0

申请日：2015-02-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  唐静怡 ,  邓时滨 ,  康黎星 ,  胡悦 ,  张锦

IPC: G01N21/31

Abstract: 本发明公开了一种衬底上碳纳米管水平阵列密度的快速光学表征方法。该方法包括如下步骤：将单根碳纳米管的光学吸收性质推广至宏观材料中，将二维材料(如石墨烯)的光学表征方法引入碳纳米管水平阵列领域，建立光学衬度与碳纳米管水平阵列密度及不同类型碳纳米管比例之间的定量公式，利用交叉偏振方法显著提高碳纳米管的光学信号(10-100倍)，实现所述高密度碳纳米管水平阵列的光学表征。本发明提供的方法，克服了传统表征方法耗时、操作复杂、易损伤样品的缺点，实现了衬底上碳纳米管密度和类型的快速、准确、无损伤的表征，可广泛应用于碳纳米管的生长和测试实验中，为优化碳纳米管生长方法提供必不可少的监控和反馈措施。