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公开(公告)号：CN117665112A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211069395.1
申请日：2022-09-01
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及塑封元器件的破坏性物理分析或失效分析技术领域，尤其涉及一种用于塑封器件内部空洞的检测与位置识别方法。解决现有塑封器件检测方法，耗时较多、观测塑封器件内部范围有限、不能准确确认塑封器件内部缺陷准确位置的问题。一种用于塑封器件内部空洞的检测与位置识别方法，包括如下步骤：对塑封器件进行声学扫描显微镜检测，检查图像中是否出现黑色阴影；若出现黑色阴影，对黑色阴影区域进行X射线检查，观察器件塑封料是否形成明暗差别的图像；若形成明暗差别的图像，进行激光开封；观察是否出现空洞，并对空洞位置进行记录。通过本发明可以明确内部空洞准确的位置，提高了内部空洞位置确定的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN113155841B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202110205603.5
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及一种用于片式薄膜电阻的失效定位方法和装置，涉及元器件失效分析技术领域，用于解决在查找片式薄膜电阻缺陷时，研磨控制不当导致的整个失效分析试验失败的问题，所述方法包括：确定电阻的失效模式，所述失效模式为开路、参数漂移或短路中的任一个；获取电阻膜的图像数据；根据所述失效模式和所述图像数据，确定电阻膜的缺陷和疑似缺陷；根据所述疑似缺陷，确定切片位置；根据所述切片位置，制备得到所述电阻的金相切片，并对所述金相切片进行检测。本发明实施例提供的技术方案能够避免研磨过程中缺陷消失或部分消失，并通过控制研磨时间提高检测效率。
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公开(公告)号：CN114695135A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011642638.7
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种BGA器件的观测方法及开封方法，该观测方法包括：步骤S10，对所述BGA器件进行加热；步骤S20，将所述芯片与所述PCB板分离；步骤S30，利用酸液对芯片的正面进行腐蚀开封；步骤S40，利用清洗液进行清洗；步骤S50，使用显微镜对芯片的正面进行观测。通过本发明，缓解了BGA器件不易开封，对其内部芯片进行观测的难度较大的技术问题。
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公开(公告)号：CN113155841A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110205603.5
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及一种用于片式薄膜电阻的失效定位方法和装置，涉及元器件失效分析技术领域，用于解决在查找片式薄膜电阻缺陷时，研磨控制不当导致的整个失效分析试验失败的问题，所述方法包括：确定电阻的失效模式，所述失效模式为开路、参数漂移或短路中的任一个；获取电阻膜的图像数据；根据所述失效模式和所述图像数据，确定电阻膜的缺陷和疑似缺陷；根据所述疑似缺陷，确定切片位置；根据所述切片位置，制备得到所述电阻的金相切片，并对所述金相切片进行检测。本发明实施例提供的技术方案能够避免研磨过程中缺陷消失或部分消失，并通过控制研磨时间提高检测效率。
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公开(公告)号：CN117665111A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211066078.4
申请日：2022-09-01
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及塑封元器件的破坏性物理分析或失效分析技术领域，尤其涉及一种用于塑封器件拒收缺陷的检测方法。解决现有塑封器件拒收缺陷检测方法耗时较多、观测内部范围有限、不能准确判断空洞是否跨越键合丝的问题。一种用于塑封器件拒收缺陷的检测方法，包括：外部目检；声学扫描显微镜检测，检查图像中是否出现黑色阴影；对黑色阴影区域进行X射线检查，观察器件塑封料是否形成明暗差别的图像；若形成明暗差别的图像，进行激光开封；观察是否出现空洞，记录空洞位置；对比分析声扫图像、X射线检查图像、激光刻蚀去除塑封料后器件内部结构形貌，判断空洞是否跨越键合丝，达到拒收标准。通过本发明可以明确内部空洞是否达到拒收标准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116973447A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210449355.3
申请日：2022-04-24
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种倒装焊BGA器件底部填充胶的检测方法，属于元器件破坏性物理分析或失效分析技术领域，解决了现有技术中倒装焊BGA器件底部填充胶的检测准确性差的问题。该检测方法包括如下步骤：对器件进行一次内部成像，确定器件中导热硅脂层的位置；将导热硅脂层的位置作为开封位置进行开封，去除散热盖板，使得芯片外露，得到待研磨样品；对待研磨样品进行二次内部成像，确定底部填充胶层中缺陷的位置；对待研磨样品进行研磨，使得底部填充胶层中缺陷外露；对底部填充胶层中缺陷进行观察记录。该方法可用于倒装焊BGA器件底部填充胶的检测。
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公开(公告)号：CN111948001B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201910413891.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
IPC: G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , G01N1/36 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种模压固体钽电容器开封方法，待开封的模压固体钽电容器包括钽芯和封装钽芯的包封材料层；开封方法包括如下步骤：采用腐蚀性试剂去除模压固体钽电容器的包封材料层，暴露出内部钽芯；采用可与阴极层发生催化反应的试剂去除导电性连接层和阴极层，暴露出介质层；采用有机溶剂清洗介质层；采用镶嵌液沿钽芯的剖面方向镶嵌暴露出介质层的钽芯；研磨镶嵌后的钽芯，直至暴露出需要观察的阳极体、介质层、阳极体与介质层的交界层。本发明的有益效果是：通过采用湿法刻蚀和机械法相结合的方法对模压固体钽电容器进行开封，保证开封后可以完整的观察钽电容器内部介质层和阳极体，满足失效分析的检验要求。
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公开(公告)号：CN115728336A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111021578.1
申请日：2021-09-01
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
IPC: G01N23/2251 , G01N21/84 , G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种二极管内部结构的剥露方法和检查方法，属于二极管结构分析技术领域，解决了现有技术中螺栓安装二极管或轴向引线金属外壳二极管无法采用金属圆帽器件开封机剥露内部结构以供检查的问题。该剥露方法包括如下步骤：提供横向样品和纵向样品；获取横向样品和纵向样品的外部结构信息和内部结构信息；确定横向样品的横向开封剖面和开封夹持面以及纵向样品的纵向研磨剖面，并在横向样品上标记横向开封剖面，在纵向样品上标记纵向研磨剖面；对横向样品进行横向机械开封，剥露横向样品的横向结构；对纵向样品进行纵向研磨，剥露纵向样品的纵向结构。本发明二极管内部结构的剥露方法和检查方法可用于二极管内部结构的剥露和检查。
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公开(公告)号：CN112108481B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910540995.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明公开了一种解剖塑封光耦的方法，该方法包括：对塑封光耦进行内部成像；打磨塑封光耦，直至露出光耦隔离片；采用机械应力对塑封光耦进行解剖；去除光耦隔离片；采用腐蚀剂去除芯片表面的导光胶和键合点上残留物；采用有机溶剂对解剖后的塑封光耦进行清洗。本发明以一种简单、高效、低成本、高成功率的方法实现对塑封光耦的解剖，并且保证了器件内部结构完整、器件不会遗失、芯片表面干净，确保塑封光耦器件在失效分析和破坏性物理分析等分析工作中满足使用条件，有效提升了针对塑封光耦的分析能力，能很好满足失效分析中的失效定位分析以及破坏性物理分析中的内引线键合力、芯片剪切力等测试分析工作。
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公开(公告)号：CN112108481A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910540995.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 北京振兴计量测试研究所
IPC: B09B3/00
Abstract: 本发明公开了一种解剖塑封光耦的方法，该方法包括：对塑封光耦进行内部成像；打磨塑封光耦，直至露出光耦隔离片；采用机械应力对塑封光耦进行解剖；去除光耦隔离片；采用腐蚀剂去除芯片表面的导光胶和键合点上残留物；采用有机溶剂对解剖后的塑封光耦进行清洗。本发明以一种简单、高效、低成本、高成功率的方法实现对塑封光耦的解剖，并且保证了器件内部结构完整、器件不会遗失、芯片表面干净，确保塑封光耦器件在失效分析和破坏性物理分析等分析工作中满足使用条件，有效提升了针对塑封光耦的分析能力，能很好满足失效分析中的失效定位分析以及破坏性物理分析中的内引线键合力、芯片剪切力等测试分析工作。
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