公开(公告)号：CN102047462A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119604.5

申请日：2009-05-20

Applicant: 北莱茵法威廉明斯特大学

Inventor： 王文冲 ,  迟力峰 ,  哈勒德·福克斯

IPC: H01L51/00 ,  C23C16/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L51/0011 ,  C23C14/025 ,  C23C14/04 ,  C23C14/12 ,  H01L51/0053 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明是关于一种在基板上控制有机分子沉积的方法，其包括在基板上形成表形结构，汽相沉积有机分子以形成至少一个由表形控制的有机成核区，随后通过汽相沉积在有机成核区继续沉积有机分子的步骤，本发明还关于一种由此方法所制作的包括有机分子基板的有机电子器件。

公开(公告)号：CN101583435A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780043237.6

申请日：2007-11-21

Applicant: 北莱茵法威廉明斯特大学

Inventor： 陈小东 ,  米歇尔·黑茨 ,  迟力峰 ,  哈勒德·福克斯

IPC: B05D1/20

CPC classification number: B05D1/206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明描述了一种把气液界面上的膜转移到基底上的旋转转移仪器。其由基底支撑台，控制基底支撑台旋转的旋转定位单元组成。旋转定位单元含有一个可以固定基底支撑台的转轴，其转轴可以沿界面平面在0到60度之间转动。由于基底上各点的转移速度的差别，本发明可以在基底上同时产生具有不同尺寸和取向的LB膜。

公开(公告)号：CN101617064A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200780045394.0

申请日：2007-12-05

Applicant: 北莱茵法威廉明斯特大学

Inventor： 哈勒德·福克斯 ,  迟力峰 ,  王文冲 ,  钟定永

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/12 ,  C30B23/04 ,  C30B29/54

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/12 ,  C30B23/04 ,  C30B29/54 ,  H01L51/0011 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了一种有机分子在基底上选区生长方法。其包括：在基底上形成有机分子的成核位置的图案，由气相沉积使有机分子在成核位置上生长。还提供了基于此方法制作的基于有机材料的器件。此方法提供了涂层技术或半导体制造领域中已知方法的另一种途径。