一种用于高温环境的TaN薄膜电阻及其制备方法

    公开(公告)号:CN107331487A

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201710469224.0

    申请日:2017-06-20

    CPC classification number: H01C7/006 H01C17/003 H01C17/12

    Abstract: 本发明公开了一种用于高温环境的TaN薄膜电阻及其制备方法。该TaN薄膜电阻从下到上依次由基板、电阻膜、过渡金属层和电极连接组成;过渡金属层和电极分别有两个,两个过渡金属层分别设置在电阻膜的两侧;两个电极分别附着在两个过渡金属层上表面;电阻膜附着在基板上表面;电阻膜为TaN电阻膜,电阻薄膜的厚度为100-200nm;与过渡金属层相接之处的电阻膜设有沟槽或孔洞。本发明金属层与电阻层形成嵌入式的三维接触方式,在高温下使用时,由于电阻层和金属层均会受热膨胀,因此在嵌入的位置金属层与电阻层会互相挤压而紧密接触,避免了金属层的剥离引起的失效,从而电阻具有更好的热稳定性和可靠性。

    一种用于高温环境的TaN薄膜电阻及其制备方法

    公开(公告)号:CN107331487B

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201710469224.0

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种用于高温环境的TaN薄膜电阻及其制备方法。该TaN薄膜电阻从下到上依次由基板、电阻膜、过渡金属层和电极连接组成;过渡金属层和电极分别有两个,两个过渡金属层分别设置在电阻膜的两侧;两个电极分别附着在两个过渡金属层上表面;电阻膜附着在基板上表面;电阻膜为TaN电阻膜,电阻薄膜的厚度为100‑200nm;与过渡金属层相接之处的电阻膜设有沟槽或孔洞。本发明金属层与电阻层形成嵌入式的三维接触方式,在高温下使用时,由于电阻层和金属层均会受热膨胀,因此在嵌入的位置金属层与电阻层会互相挤压而紧密接触,避免了金属层的剥离引起的失效,从而电阻具有更好的热稳定性和可靠性。

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