公开(公告)号：CN1978335A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610162438.5

申请日：2006-11-22

Applicant: 协和化学工业株式会社

Inventor： 铃木隆文 ,  玖村照彦 ,  玉川晋二郎 ,  前岛丈辉

IPC: C02F1/58 ,  C02F1/52

Abstract: 本发明提供如下所述氟离子除去方法，即在由半导体制造工厂排出的含有氟离子的pH4.0以下的排水中添加氧化镁，在10～25℃的温度下处理，加入凝集剂进行固液分离，其中所述氧化镁是在700～1,000℃烧结氢氧化镁而得到的，且BET比表面积为40～200m2/g。本发明还提供能够吸附除去排水中所含氟离子的方法。

公开(公告)号：CN100556823C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200610162438.5

申请日：2006-11-22

Applicant: 协和化学工业株式会社

Inventor： 铃木隆文 ,  玖村照彦 ,  玉川晋二郎 ,  前岛丈辉

IPC: C02F1/58 ,  C02F1/52

Abstract: 本发明提供如下所述氟离子除去方法，即在由半导体制造工厂排出的含有氟离子的pH4.0以下的排水中添加氧化镁，在10～25℃的温度下处理，加入凝集剂进行固液分离，其中所述氧化镁是在700～1，000℃烧结氢氧化镁而得到的，且BET比表面积为40～200m2/g。本发明还提供能够吸附除去排水中所含氟离子的方法。