公开(公告)号：CN109768083B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810140599.7

申请日：2018-02-11

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 黄瑞成 ,  蔡镇宇

IPC: H01L29/423

Abstract: 本公开提供一种晶体管元件与半导体布局结构。该晶体管元件包含具有至少一主动区的一基板、环绕该主动区的一隔离结构、位于该基板上方的一栅极结构、以及位于该栅极结构的相对立的两侧上的一源极/漏极区。该栅极结构包含沿着一第一方向延伸的一第一部分以及沿着一第二方向延伸的一第二部分，该第二方向垂直于该第一方向。该栅极结构的该第一部分为重叠该主动区与该隔离结构之间的一第一边界。本公开可通过布局优化而轻易缩小半导体布局结构占据的总面积以实现装置缩小。

公开(公告)号：CN113380803A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202010292985.5

申请日：2020-04-15

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 蔡镇宇

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明提供一种存储器结构，其包括具有存储器区与周边区的衬底、电容器阵列、晶体管阵列、多个位线以及多个触点。所述电容器阵列设置于所述存储器区中的所述衬底上。所述晶体管阵列设置于所述电容器阵列上，且与所述电容器阵列电性连接。所述多个位线沿行方向延伸且彼此平行地设置于所述晶体管阵列上，且与所述晶体管阵列电性连接。所述多个触点各自连接所述多个位线中的一个与位于所述周边区中的所述衬底处的导电组件。所述多个触点中的每一个包括第一部分、第二部分以及第三部分。所述第二部分设置于所述第一部分与所述第三部分之间，且所述第三部分与所述导电组件电性连接。每一所述第三部分与所述存储器区的距离是相同的。

公开(公告)号：CN112614838A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201911118799.3

申请日：2019-11-15

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 蔡镇宇

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一垂直晶体管、与第一垂直晶体管相邻的第二垂直晶体管、以及第一垂直晶体管和第二垂直晶体管之间插入的空气隙。第一垂直晶体管包括第一通道区、包裹第一通道区的第一字线以及在第一通道区和第一字线之间的第一字线介电层。第二垂直晶体管包括第二通道区，包裹第二通道区的第二字线以及在第二通道区和第二字线之间的第二字线介电层。第一字线及第二字线分别具有顶部宽度和底部宽度，并且顶部宽度大于底部宽度。本发明的半导体装置具有空气隙可以减小相邻字线之间的寄生电容。

公开(公告)号：CN119789416A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202410137650.4

申请日：2024-01-31

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 蔡镇宇

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种存储器元件，包含基板、第一字元线结构、第一介电层、介电衬垫和位元线结构。第一字元线结构位于基板中，并包含第一底导电材料和第一顶导电材料，其中第一底导电材料的顶表面比第一顶导电材料的底表面宽。第一介电层在第一字元线结构之上。介电衬垫衬于第一字元线结构。位元线结构位于该基板之上。其可降低在字元线结构和位元线结构之间的电容，并可进一步改善位元线结构与基板之间的漏电。

公开(公告)号：CN119764292A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202410050224.7

申请日：2024-01-12

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 蔡镇宇

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供一种接触结构、包含该接触结构的半导体元件及该半导体元件的制备方法。该接触结构包括一本体部；以及一延伸部，自该本体部向下延伸并包括一凹槽。该凹槽自该延伸部的一下表面凹陷，通往该本体部，并暴露该本体部。

公开(公告)号：CN119764253A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202410609613.9

申请日：2024-01-12

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 蔡镇宇

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本公开提供一种半导体元件的制备方法，包括提供一基底；形成一介电层在该基底上；沿着该介电层形成一单元接触点开口以暴露该基底；共形地形成部分填充该单元接触点开口的一牺牲层，以形成暴露该基底的一中间开口；形成完全填满该中间开口的一阻挡层；移除该牺牲层；以该阻挡层当作一遮罩而执行一蚀刻工艺，以将该单元接触点开口加深至该基底中，并将该单元接触点开口转变为围绕该基底的一突出部的一延伸单元接触点开口；移除该阻挡层；以及形成一接触结构在该延伸单元接触点开口中。

公开(公告)号：CN119275205A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410475783.2

申请日：2023-09-07

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 蔡镇宇

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开涉及一种半导体元件。该半导体元件包括一基底；多个字元线结构，其设置于该基底中；一掩埋导电层，其包括：一底部，其设置于该基底中及该些字元线结构之间；及一顶部，其设置于该基底中、该底部上以及该些字元线结构之间；及一凹槽内间隙壁，其设置于该基底中及该些字元线结构之间，并围绕该底部，且被该顶部覆盖。该顶部的一顶面、该基底的一顶面与该些字元线结构的顶面实质上共平面。该凹槽内间隙壁的一底面与该底部的一底面实质上共平面。该凹槽内间隙壁的一侧壁与该顶部的一侧壁实质上共平面。

公开(公告)号：CN119108334A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202310997405.6

申请日：2023-08-09

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 江玗洁 ,  吕增富 ,  蔡镇宇

IPC: H01L21/71

Abstract: 一种半导体装置的制造方法包含以下步骤。在基材的区域上执行阱植入工艺。在该基材的该区域进行源极/漏极植入工艺。在该基材的该区域上定义主动区域。在该主动区域中形成多个浅沟槽隔离结构。对该基材的该区域进行退火工艺。此制造方法在界定主动区域或形成浅沟槽隔离结构之前在基材的宽广区域上执行掺杂剂植入工艺，有助于减少随机掺杂剂波动。

公开(公告)号：CN118263291A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202310375471.X

申请日：2023-04-10

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 蔡镇宇

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体结构包括基板、第一隔离层和源极。基板具有主体部与由主体部延伸而出的凸出部。第一隔离层位于基板的主体部上。源极位于第一隔离层上。源极具有第一部分以及与第一部分相对的第二部分。基板的凸出部位于源极的第一部分与源极的第二部分之间。半导体结构的基板拥有主体部与由主体部延伸而出的凸出部，且凸出部位于源极的第一部分以及第二部分之间，因此由浮体效应在半导体结构中造成的漏电流便可减少。更甚者，由于凸出部接触电流通道，半导体结构的元件表现便可提升，也就是说，基板的主体部与凸出部可以被视为额外的基极联接，而这种额外的基极联接可以控制由浮体效应产生的电洞，使其被吸收，因此改善半导体结构的漏电流。

公开(公告)号：CN118231454A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202310650711.2

申请日：2023-06-02

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 蔡镇宇

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括：位于一基底上方的一第一掺杂结构与位于该第一掺杂结构和该基底上方的一第二掺杂结构；一第一栅极层，其至少部分地设置于该第一掺杂结构与该第二掺杂结构之间；一第一栅极介电层，其围绕该第一栅极层；一通道层，其围绕该第一栅极介电层；一第二栅极介电层，其围绕该通道层；一第二栅极层，其围绕该第二栅极介电层。本公开亦提供一种形成半导体结构的制备方法。