公开(公告)号：CN114345143A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202110450376.2

申请日：2021-04-25

Applicant: 南京依柯卡特排放技术股份有限公司

Inventor： 袁林峰 ,  约翰尼·马切尔 ,  胡广 ,  胡飞

IPC: B01D71/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/02 ,  B01D67/00

Abstract: 本发明提供一种高通量碳化硅陶瓷过滤体的分离层膜层浆液及分离层膜层制备方法，高通量碳化硅陶瓷过滤体由载体以及附在载体表面的分离层构成，分离层膜层浆液由碳化硅粉、第二助剂与水混合制成，并且pH值控制在6‑10，以使得浆液中的碳化硅粉颗粒具有与载体表面携带同性电荷；具有一定粒径错配比的碳化硅粉包括碳化硅粉III和碳化硅粉IV，碳化硅粉III的中值粒径为碳化硅粉IV的中值粒径的3‑8倍。本发明通过优化浆液配方，使其在涂覆时避免因毛细过滤和薄膜形成过程中碳化硅细小颗粒进入载体的微孔内，可实现在平均孔径10μm以上碳化硅载体上直接涂覆平均孔径在200nm以下的分离层，在涂覆时有效阻止碳化硅细小颗粒进入载体的微孔内。

公开(公告)号：CN113121241B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202110448901.7

申请日：2021-04-25

Applicant: 南京依柯卡特排放技术股份有限公司

Inventor： 袁林峰 ,  约翰尼·马切尔 ,  胡广 ,  胡飞

IPC: B01D71/02 ,  B01D67/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00

Abstract: 本发明提供一种高通量碳化硅陶瓷过滤膜及其制备方法，采用在载体基础上单次直接覆分离层工艺，即载体烧结后，直接涂覆分离层，烧结后再进行除碳即可。通过优化烧结工艺，并优化制膜液配方，使其在涂覆时避免因毛细过滤和薄膜形成过程中碳化硅细小颗粒进入载体的微孔内，可实现在平均孔径10μm以上碳化硅载体上直接涂覆平均孔径在0.2μm以下的分离层，在涂覆时有效阻止碳化硅细小颗粒进入载体的微孔内。由此，可避免陶瓷膜传统制备工艺中需多次涂覆即至少2次涂覆和3次烧结的不足，从而降低生产成本，提高产品合格率。由于中间层的去除，同等孔径的陶瓷膜的通量可大幅提升。

公开(公告)号：CN113121241A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110448901.7

申请日：2021-04-25

Applicant: 南京依柯卡特排放技术股份有限公司

Inventor： 袁林峰 ,  约翰尼·马切尔 ,  胡广 ,  胡飞

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00 ,  B01D67/00 ,  B01D71/02

Abstract: 本发明提供一种高通量碳化硅陶瓷过滤膜及其制备方法，采用在载体基础上单次直接覆分离层工艺，即载体烧结后，直接涂覆分离层，烧结后再进行除碳即可。通过优化烧结工艺，并优化制膜液配方，使其在涂覆时避免因毛细过滤和薄膜形成过程中碳化硅细小颗粒进入载体的微孔内，可实现在平均孔径10μm以上碳化硅载体上直接涂覆平均孔径在0.2μm以下的分离层，在涂覆时有效阻止碳化硅细小颗粒进入载体的微孔内。由此，可避免陶瓷膜传统制备工艺中需多次涂覆即至少2次涂覆和3次烧结的不足，从而降低生产成本，提高产品合格率。由于中间层的去除，同等孔径的陶瓷膜的通量可大幅提升。