公开(公告)号：CN106130483B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201610446825.5

申请日：2016-06-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 吉新村 ,  夏晓娟 ,  郭宇锋 ,  王子轩 ,  丁敏 ,  徐严

IPC: H03B5/12 ,  H03L7/099

Abstract: 一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，该可变电容电路由积累型AMOS晶体管与PMOS晶体管并联构成，连接于压控振荡器电压输出端VB和调谐电压控制端VC之间，PMOS晶体管的源极和漏极接地，PMOS晶体管的衬底连接调谐电压控制端VC，PMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，使PMOS晶体管工作于积累区和耗尽区；AMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，AMOS晶体管的源极、漏极以及衬底共同与调谐电压控制端VC连接；可变电容值由PMOS晶体管的栅极‑衬底电容与积累型AMOS晶体管的栅极‑衬底电容合成，通过调谐电压控制可变电容的大小，以改变振荡频率。

公开(公告)号：CN106130483A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610446825.5

申请日：2016-06-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 吉新村 ,  夏晓娟 ,  郭宇锋 ,  王子轩 ,  丁敏 ,  徐严

IPC: H03B5/12 ,  H03L7/099

Abstract: 一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，该可变电容电路由积累型AMOS晶体管与PMOS晶体管并联构成，连接于压控振荡器电压输出端VB和调谐电压控制端VC之间，PMOS晶体管的源极和漏极接地，PMOS晶体管的衬底连接调谐电压控制端VC，PMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，使PMOS晶体管工作于积累区和耗尽区；AMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，AMOS晶体管的源极、漏极以及衬底共同与调谐电压控制端VC连接；可变电容值由PMOS晶体管的栅极‑衬底电容与积累型AMOS晶体管的栅极‑衬底电容合成，通过调谐电压控制可变电容的大小，以改变振荡频率。

公开(公告)号：CN206498339U

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201720223333.X

申请日：2017-03-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李卫 ,  丁敏 ,  吉新村 ,  白刚 ,  许杰 ,  郭宇锋 ,  方玉明 ,  张长春

IPC: H02M7/217

Abstract: 本实用新型公开了一种超低待机功耗原边反馈开关电源电路，包含反激式变压器、整流滤波模块、启动电路、启动控制和低压锁定模块、峰值电流检测、采样保持模块、误差放大器、CV控制模块、退磁时间检测模块、CC控制模块、PFM逻辑控制模块、驱动模块、功率开关管M1；本实用新型省去了芯片外部启动电阻，用合封三极管实现电路启动，大大降低启动部分的功耗，启动速度快，待机功耗低；本实用新型采用合封技术实现，无需高压工艺，易于实现、节约成本；当输出短路时，系统自动进入固定频率模式，提高稳定性；系统工作在CC模式和非轻载的CV模式时，功率管在谷底导通，实现准谐振。