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公开(公告)号：CN114005938A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110659295.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于芴酮类聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器，该存储器从下至上依次包括衬底及基于该衬底之上的栅电极、栅绝缘层、柱极体层、有机半导体层及源漏电极，所述驻极体层为芴酮类聚合物，芴酮类聚合物的厚度为10～30nm。通过旋涂溶液法将不同组分的芴酮类聚合物驻极体制备成电荷俘获层薄膜，基于此电荷俘获层的OFET存储器不仅可以在光电的调控下实现双向的电荷存储，还可以实现ms级别的快速响应及良好的双向耐受性，并且整个操作工艺简单、成本低廉，该方法是一种改善聚合物存储行为的有效且通用的方法，制备的非易失性OFET存储器可应用在柔性及穿戴电子设备中，有利于未来存储器件的进一步发展推广与生产。
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公开(公告)号：CN110423238A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910739710.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明公开了一种可进行芴基傅克反应修饰的卟啉分子及其后修饰材料和制备方法与应用，利用傅克反应对卟啉分子功能化修饰的方法是将一种卟啉环引入共轭打断的位阻基团分子，有利地破坏了其面面间的π-π作用，有效调控能级结构，实现其功能化修饰。本发明提供的傅克反应的合成策略绿色环保、低损耗高收率、操作简单、成本低价，是可以推广应用的新的卟啉功能化修饰的方法。本发明设计合成的卟啉傅克后修饰的结构分子是一种功能化的光电信息材料，将其应用于忆阻器活性层，用于人工神经网络的功能模拟，有望为有机忆阻器材料应用提供新的可能。
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公开(公告)号：CN106496527A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610835600.9
申请日：2016-09-20
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1424 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/414 , C08G2261/95 , H01L51/0036
Abstract: 本发明公开了一种芴基给受体型纳米聚合物、制备方法及其应用，该纳米格子聚合物中纳米格子片段是以芴基衍生物为电子给体单元并与电子受体单元交替排列成方环形的刚性结构。制备方法：以预留有卤素端基的纳米格子片段Ⅱ）与聚合片段（Ⅲ）进行聚合反应，即得聚合物。本发明提供的聚合物材料具有合成方式模块化、高拓展性、高的热学、电化学、光学稳定性；可减少薄膜溶剂依赖性；实现大面积可溶性加工；精确调控孔径尺寸；实现对带隙、能级排布的精确调控等优点，在有机太阳能电池、存储及忆阻、传感、检测等光电功能材料领域有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN105348289A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510728912.5
申请日：2015-10-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/08 , C07D495/22 , C08G61/02 , C08G61/12 , C09K11/06 , H01L51/54 , G11C17/10
CPC classification number: C07D487/08 , C07D495/22 , C08G61/02 , C08G61/124 , C09K11/06 , C09K2211/1458 , C09K2211/1466 , G11C17/10 , H01L51/0035 , H01L51/0036
Abstract: 本发明涉及一类纳米格子与纳米聚合物格子材料及其制备和应用方法，属于光电高新技术领域。该类纳米聚合物材料是以纳米格子为单体的均聚物或共聚物，具体通式结构如下：该类材料具有以下特点：(1)纳米格子单体表现兼有孔与半导体光电特征；(2)原料廉价、易得，反应条件温和、容易操作；(3)具有纳米材料优良的机械特性；(4)具有较好的溶解度，方便进行纳米薄膜或纤维化加工；(5)刚性骨架具有高玻璃化转变温度、高热学、电化学稳定性、光谱稳定性等优点。因此，聚格子有希望成为新一代实用纳米高分子光电材料，这类纳米聚合物格子材料在有机电子、自旋电子、光电子、机械电子以及纳米生物等领域具有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116693820A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310793367.2
申请日：2023-06-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种咔唑基聚合物及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法。咔唑基聚合物的结构通式为：其中，n为1～100中的自然数，R1选自氢、苯基和烷基链中的任意一种；R2选自氢、具有1到8个碳原子的直链、具有1到8个碳原子的支链、具有1到8个碳原子的环状烷基链和具有1到8个碳原子的烷氧基中的任意一种；选自中的任意一种；选自中的任意一种。本发明提供的咔唑基聚合物分子具有多个活性位点，具有很好的拓展性，可对分子进行多种扩展，提供了一种探寻OFET存储器存在的存储机制与分子结构之间关系的有效途径；同时，咔唑基聚合物的合成方式简单，与COFs、MOFs相比，咔唑基聚合物材料可大面积溶液加工，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114891022A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210338305.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D517/22 , H01L51/30 , H01L51/05 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种有机纳米格子分子材料，其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基链；X原子为C或N；Y原子为O,S或Se；G为芳香基团或者非芳香基团。本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。
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公开(公告)号：CN111875616B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010716236.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/10 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种芴螺环衍生物及合成方法、基于芴螺环衍生物的有机场效应晶体管存储器及制备方法，芴螺环衍生物的结构通式为：本发明将芴螺环衍生物作为有机场效应晶体管存储器的电荷存储层。该存储器件可用于制造非易失性存储设备，例如：移动硬盘、U盘；以及柔性存储设备，例如：电子皮肤，可穿戴设备。该场效应存储器件表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺制备了存储器件，并且降低了器件制备成本。对于应用有较大优势。
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公开(公告)号：CN109524546A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811350364.7
申请日：2018-11-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C07D495/22
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米格子分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于有机电子和信息技术领域。该存储器从上至下依次包括源漏电极、有机半导体层、纳米格子分子存储层、栅绝缘层、衬底及形成于该衬底之上的栅电极。本发明的存储器属于典型的电荷捕获-释放机制，对比聚合物驻极体存储器和浮栅型存储器，表现出明显的电荷维持稳定、耐受性以及大的存储窗口和存储密度，还表现出了有机存储器适合柔性、大面积以及工艺成本低等优势。本发明通过简单的工艺手段制备存储器件，使其存储容量、开关速度和稳定性得到很大提升，并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN108530609A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810242986.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种卟啉聚合物，其结构通式如下：本发明同时公开了卟啉聚合物忆阻器，包括阳极与阴极、以及位于阳极与阴极之间的阻变层，其中阻变层包括从阳极到阴极依次分布的卟啉聚合物活化薄膜层及氧化物缓冲层，该忆阻器可应用于阵列作为节点链接处理器的交叉阵列人工神经计算系统及制造具有学习功能的人工智能系统。本发明具有工艺简单且成本低的优点。
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