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公开(公告)号：CN108794494A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810625829.9
申请日：2018-06-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/14 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L51/50
CPC classification number: C07D487/14 , H01L51/0071 , H01L51/0508 , H01L51/42 , H01L51/5056
Abstract: 本发明公开一种三并咔唑‑芳香胺衍生物空穴传输材料及其制备方法与应用，该材料是以三并咔唑作为核心、芳香胺的衍生物作为修饰基团的星状小分子化合物，其通式结构如下式1所示：。其中，R为C1‑C30的直链、支链烷基或烷氧基链中的一种。本发明的材料合成路线简短，反应原料廉价，反应过程容易控制，易于分离、纯度高、产率高；并且该材料具有较高的空穴迁移率、良好的溶解性。特别的，当作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池时获得了优异的光电转换效率。这类性能优异而又成本低廉的新型空穴传输材料可以广泛应用于有机电致发光器件、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池或有机场效应晶体管器件中，具有重要的应用潜力。
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公开(公告)号：CN108774238B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810625813.8
申请日：2018-06-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , C09K11/06 , H01L51/30 , H01L51/46 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用，该材料是以二吲哚并三并咔唑作为核、富电子单元作为修饰基团的多臂结构化合物，其通式结构如下式1所示：其中，R为C1‑C30的直链或支链烷基的一种；Ar为富电子单元修饰基团。本发明的材料具有优异的热稳定性、较高的空穴迁移率、良好的溶解性以及非晶态特性，可以通过溶液法制备高质量的非晶薄膜；并且合成路线简短，产物易于分离，纯度高、产率高，在电致发光器件、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池或有机场效应晶体管等领域具有潜在的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN108948026A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810617494.6
申请日：2018-06-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/16 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/42 , H01L51/46
CPC classification number: C07D487/16 , H01L51/0072 , H01L51/50
Abstract: 本发明公开了一种三并咔唑‑苯基空穴传输材料及其制备方法与应用。该材料是以三并咔唑作为核心、苯的衍生物作为修饰基团的星状小分子化合物。本发明的材料合成路线简单，成本低廉，反应过程易于控制，易于分离、收率高，并且该材料具有合适的HOMO能级、良好的溶解性、优异的空穴迁移率、优异的热稳定性以及非晶态特性，可以通过溶液法制备高质量的非晶薄膜。在有机电致发光器件、有机太阳能电池器件、钙钛矿太阳能电池器件或有机场效应晶体管器件等领域具有潜在的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN108774238A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810625813.8
申请日：2018-06-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D487/22 , C09K11/06 , H01L51/30 , H01L51/46 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用，该材料是以二吲哚并三并咔唑作为核、富电子单元作为修饰基团的多臂结构化合物，其通式结构如下式1所示：其中，R为C1-C30的直链或支链烷基的一种；Ar为富电子单元修饰基团。本发明的材料具有优异的热稳定性、较高的空穴迁移率、良好的溶解性以及非晶态特性，可以通过溶液法制备高质量的非晶薄膜；并且合成路线简短，产物易于分离，纯度高、产率高，在电致发光器件、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池或有机场效应晶体管等领域具有潜在的商业应用价值。
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