公开(公告)号：CN105932156A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610286716.1

申请日：2016-05-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 赖文勇 ,  黄维 ,  林燕 ,  刘城芳

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0508 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0005

Abstract: 本发明公开了一种印刷制作有机场效应晶体管的方法，具体是一种插入离子自组装层作为电极修饰层大幅改善喷墨打印制作有机场效应晶体管(OFET)器件性能的方法。所采用的器件结构是底栅底接触结构：栅极/绝缘层/绝缘层修饰层/源漏电极/电极修饰层/半导体层。其中器件可以在硅片上制备，也可以在柔性基板塑料、相片纸等上制备，源漏电极可以是金、银等材料，半导体层可以是并五苯、聚噻吩（P3HT）、聚噻吩衍生物（PTB7）等。其制备方法可以是喷墨打印、丝网印刷等。本发明的方法，操作简单易行、节省材料、环境友好，并且加入电极修饰层后可以显著降低接触电阻提高器件性能。