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公开(公告)号：CN118284261A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410239236.4
申请日：2024-03-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高度有序有机半导体晶体及其制备方法和应用，属于有机电子器件技术领域。将有机半导体材料溶于氯仿溶液，超声溶解后得到共混溶液；将共混溶液滴注到处理后的基底上，培养得到高度有序有机半导体晶体。本发明所制备的有机半导体晶体在基底上分散良好，形状规则有序，可用于制备场效应晶体管，制备方法简单易用，对设备及环境的要求低，原材料易获取，成本低，且无需任何外部条件辅助，本发明中所用到的有机小分子材料单独会结晶，有机共轭聚合物材料则不会结晶，会形成薄膜。当混合后可制备出高度有序的有机半导体晶体，且应用于场效应晶体管后迁移率达到1cm2/V·S左右。
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