公开(公告)号：CN116744696A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310908874.6

申请日：2023-07-24

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  赵文齐 ,  赵纠 ,  钱浩文 ,  李雯

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10B43/30

Abstract: 本发明公开了一种有机半导体与聚合物绝缘材料共混的有机场效应晶体管存储器及制备方法，属于有机电子与信息技术领域。所述的存储器结构自上而下依次为源漏电极，半导体层，电荷存储层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极。本发明所描述的晶体管存储器电荷存储层是将P型有机半导体聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)与聚合物绝缘材料聚苯乙烯(PS)共混，采用旋涂共混溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。实现了其存储容量，迁移率和开关比的提升，稳定性也得到了很大的改善，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。

公开(公告)号：CN117082875A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310725119.4

申请日：2023-06-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李雯 ,  于海鹏 ,  沈筠浩 ,  赵纠 ,  仪明东

IPC: H10K10/50 ,  H10K85/10 ,  H10K85/20 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于可溶性本体异质结的低操作电压缓变忆阻器及其制备方法，属于有机电子和信息技术领域，其结构由下而上依次为基底、底电极、功能层和顶电极四个部分，其特征在于，所述基底为导电玻璃，所述底电极是氧化铟锡ITO，所述功能层为p型材料P3HT与n型材料PCBM组成的本体异质结，其由p型材料P3HT和n型材料PCBM是由混溶的溶液旋涂而成，所述的顶电极是铝。提高了器件的电学性能，为提高神经形态计算开拓了一条有效的路径。器件的三明治结构易于设计，工艺操作简单，良品率高，具有普适性。