一种有机室温磷光材料及其应用

    公开(公告)号:CN115028653B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202210624437.7

    申请日:2022-06-02

    Abstract: 本发明公开了一种有机室温磷光材料及其应用,属于光电材料技术领域。该材料含有有机室温磷光构筑单元吩噻嗪5,5‑二氧化物基团和顶部封端Ar基团,并通过在上述室温磷光构筑单元的侧基引入R基修饰基团,促进磷光生色团紧密堆积和增强分子间相互作用,实现了有效的室温磷光发射和同时荧光‑延迟荧光‑室温磷光发射,达到了在不同外部刺激下实现刺激响应型有机超长室温磷光和发光颜色直接可视化变化的目的。本发明材料的反应过程容易控制,可设计性强,可应用于信息加密、防伪、动态图案化、可视化监测、生物成像和有机电致发光器件等领域。

    一种基于光响应的波长可调谐有机薄膜激光器件及应用

    公开(公告)号:CN111682398B

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202010527148.6

    申请日:2020-06-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于光响应的波长可调谐有机薄膜激光器件及应用,属于有机激光材料及应用领域。本发明在激光增益介质和光致变色分子的共混体系中实现了具有光响应和波长可调性的放大的自发辐射行为。通过使用紫外和可见光分别对器件曝光,可以实现红光与黄光的可逆输出。本发明的方法成本低廉、制备简单,可将该器件运用于有机发光二极管和有机激光器件,能够调制器件的输出电流与发光强度,构建多功能集成的有机光电器件。

    一种基于忆阻器运算的数字型神经形态电路

    公开(公告)号:CN116070683A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202211722776.5

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器运算的数字型神经形态电路,包括,移位模块,所述移位模块包括四个D触发器组成的4bit移位寄存器;与门模块,所述与门模块包括四个忆阻器逻辑与门;或门模块,所述或门模块包括四个忆阻器逻辑或门;所述移位模块的输出和铃声信号连接所述与门模块的输入;所述与门模块的输出和食物信号连接所述或门模块的输入;基于忆阻器设计的数字型神经形态电路可以很好的将忆阻器与MOS管体系的芯片NPU集成起来,并且因忆阻器极低的电压和功耗,在进行多次学习过程中,并不会产生什么热量。

    一种嵌段共聚本征可拉伸电致发光弹性体及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN111635504B

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202010551504.8

    申请日:2020-06-17

    Abstract: 本发明公开了一种嵌段共聚本征可拉伸电致发光弹性体及其制备方法与应用。该类弹性体是以有机电致发光单体、苯乙烯和1,3‑丁二烯为原料,通过阴离子聚合而制得。本发明的创新在于:首次以化学交联的方式,将有机电致发光单元引入到弹性体中,在提高弹性体本征可拉伸性能的基础上,同时具有优异的发光特性以及高的载流子迁移率;结构新颖,设计策略独特,同时解决了传统有机光电材料本征不可拉伸性问题和传统弹性体不具备的电致发光特性的问题;该类弹性体作为发光层材料,制备了高稳定性、高拉伸性、高效率的有机电致发光器件。

    一种D-A型近红外有机发光材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN111574538A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010546566.X

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明涉及一种D-A型近红外有机发光材料及其制备方法与应用,具体通过闭环方式引入萘并噻唑喹喔啉作为刚性大平面电子受体结构。选择具有高HOMO能级的强电子给体结构,通过连接位置的变化增强分子间扭矩,从而有效增强HOMO/LUMO能级的分离。本发明提供一系列含有萘并噻唑喹喔啉结构单元的D-A型近红外有机发光材料。本发明材料原料易得,制备过程简单,反应过程容易控制,产品易于分离、收率高、纯度高;该材料表现出良好的热稳定性,薄膜态发光在近红外区域;在近红外有机电致发光器件方面展现出重要的应用潜力。

    忆阻器3D阵列架构及其制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114068615A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111324977.5

    申请日:2021-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种忆阻器3D阵列架构及其制备方法,属于忆阻器阵列架构技术领域。忆阻器3D阵列架构包括电极和阻变单元,电极包括顶电极和底电极,顶电极所在的水平面置于底电极所在的水平面的上方,阻变单元的一端与顶电极连接、另一端与底电极连接,第n个阵列与第n‑1个阵列在竖直方向上错位连接,同时,第n个阵列所在的水平面置于第n‑1个阵列所在的水平面的上方或下方,第n个阵列与第n‑1个阵列通过同一电极连接,其中n为不小于2的整数。本发明提出的忆阻器3D阵列架构,通过将忆阻器阵列展开成平面形式,以定点测试单个忆阻器;同时,新的结构有良好的散热效果,可以进行长时间、海量的多比特数据的交换。

    一种不对称的印刷超级电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111883370A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010703123.7

    申请日:2020-07-21

    Abstract: 本发明公开了一种不对称的印刷超级电容器的制备方法,包括以下步骤:第一步:利用丝网印刷技术在柔性基底印刷银电极,然后将其处理出导电性,得到银电极;第二步:在柔性基底上丝网印刷聚3,4-乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐油墨,得到一层薄层电极;将共轭多孔聚合物材料均匀铺在得到的薄层电极上,得到复合电极,然后将其处理出导电性;第三步:将第一步得到的银电极和第二步所得复合电极相对叠合后,在中间涂上电解质,干燥后即得到三明治结构的不对称的印刷超级电容器。本发明采用丝网印刷工艺进行加工,所得电容器具有优异的循环稳定性和机械柔韧性;对用于电化学能量储存的共轭多孔聚合物材料的开发和应用提供了技术支持。

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