相变存储器材料、装置和方法

    公开(公告)号:CN101346776A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200680048622.5

    申请日:2006-12-12

    Abstract: 公开一种基于包括以下元素的化合物的新相变材料,所述元素包括:镓;镧系元素;和硫属化物。化合物包括Ga、La和S(GLS)的化合物以及相关化合物,其中可以用O、Se和/或Te代替S。此外,La可以用其它镧系元素代替。已经示出,这种材料表现了低能量转变。例如,GLS材料可以提供具有3-5dB可擦度的记录介质,作为相变存储器的标准材料的GeSbTe(GST)材料的可擦度。

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