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公开(公告)号：CN110945412A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880038141.9
申请日：2018-06-07
Applicant: 南安普敦大学
Abstract: 本发明提供一种光电子器件及其制造方法。所述器件包括：设置在衬底之上的层，所述层在其中具有第一腔，所述腔至少部分地由所述腔与绝缘衬里之间的倾斜界面限定，所述界面相对于所述衬底以大于0°且小于或等于90°的角度设置；以及提供或形成波导的一部分的再生长半导体材料，所述再生长半导体材料至少部分地设置在所述第一腔中，并且包括所述再生长半导体材料与所述绝缘衬里之间的倾斜界面，所述界面相对于所述衬底以大于0°且小于或等于90°的角度设置。
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