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公开(公告)号:CN113811802A
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202080031337.2
申请日:2020-04-24
Applicant: 南安普敦大学
Abstract: 本发明提供光子芯片,包括:硅衬底、在硅衬底上方的低折射率层和在低折射率层上方的锥形波导,锥形波导在锥形波导的第一端部处具有第一高度,并且在锥形波导的第二端部处具有第二高度,第二高度大于第一高度,并且锥形波导具有底表面,其在第二端部处比在第一端部处更靠近衬底。本发明还提供制造光子芯片的方法,该方法包括:提供包括硅衬底和在硅衬底上方的低折射率层的晶片,蚀刻低折射率层以形成锥形沟槽,锥形沟槽在锥形沟槽的第一端部处具有第一高度,并且在锥形沟槽的第二端部处具有第二高度,第一第二高度大于第二第一高度,并且锥形沟槽具有底表面,其在第一第二端部处比在第二第一端部处更靠近衬底,以及在锥形沟槽中形成锥形波导。
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