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公开(公告)号：CN114981696A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080082317.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 南安普敦大学
Abstract: 一种制造光子芯片的方法。所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括硅衬底和位于所述硅衬底之上的低折射率层；通过蚀刻所述低折射率层形成具有第一高度的第一沟槽和具有第二高度的第二沟槽。所述第二高度大于所述第一高度，并且所述第二沟槽具有与所述第一沟槽的底表面相比更靠近所述衬底的底表面。
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