生长于石墨烯表面的Sb2S3纳米片及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN108579767A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810417304.6

    申请日:2018-05-04

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明属于介孔纳米材料的制备,生长于石墨烯表面的Sb2S3纳米片及其制备方法和用途,为超薄的单层石墨表面生长有片状Sb2S3,具有介孔的等级结构,将SbCl3溶于乙二醇溶液中,加入十二烷基磺酸钠,将冷冻干燥的石墨烯粉溶解在乙二醇溶液中,加入反应体系中,向混合液中加入L-半胱氨酸,NaOH溶液逐滴加;在150℃水热条件下恒温反应24h;产物分别用去离子水和无水乙醇清洗、自然风干,在Ar气氛下,200℃烧3h,得到目标产物。本发明的优点是:制备的Sb2S3/石墨烯复合结构是超薄的单层石墨表面生长的片状Sb2S3,具有介孔的等级结构,有较高的比表面积,较大的孔隙率;合成方法工艺简单、成本低廉、反应过程温和,得到的产品形貌好、在光电性能上有应用前景。

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