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公开(公告)号:CN116546825A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202310511920.9
申请日:2023-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子膜忆阻器及其制备方法,其中,垂直单分子膜忆阻器包括衬底、依次设置在衬底上的源极、自组装单分子膜、漏极和栅极;自组装单分子膜包括柱芳烃分子体系,柱芳烃分子的结构式如式A所示。本申请的自组装单分子膜包括具有双稳态的柱芳烃分子体系,柱芳烃分子体系由柱芳烃分子和银离子组成。柱芳烃分子具有空腔,空腔中可以容纳银离子。将柱芳烃分子体系应用于垂直单分子膜忆阻器,通过调控源漏电压或栅压可以实现银离子在柱芳烃分子的空腔内移动,实现高阻值与低阻值之间的转换调控,获得结构稳定、高效、可调控的垂直单分子膜忆阻器。
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公开(公告)号:CN119947557A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510423760.1
申请日:2025-04-07
Applicant: 南开大学
IPC: H10K85/60 , H10K50/805 , H10K71/12 , H10K71/15 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及光电器件技术领域,尤其涉及基于飞秒双光子吸收的双色光源单分子器件及其制备方法,该单分子器件包括基底、石墨烯源端电极、石墨烯漏端电极,石墨烯源端电极和石墨烯漏端电极形成石墨烯电极对,石墨烯电极对设置于基底的顶层;双色光源由单分子苝酰亚胺核的多噻吩基枝状分子作为发光分子,苝酰亚胺核的多噻吩基枝状分子的两个‑NH2端分别通过酰胺键与石墨烯源端电极和石墨烯漏端电极连接,显著增强了单分子器件的化学稳定性,进而能够保证其在复杂操作条件下的长期可靠性;本发明提供的基于飞秒双光子吸收的双色光源单分子器件的制备方法,操作过程简便、条件可控,有利于单分子器件的规模化生产。
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