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公开(公告)号：CN101299452A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810052101.8
申请日：2008-01-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及在单晶衬底上制备CeO2隔离层薄膜的方法。本发明是采用两步方法制备CeO2隔离层薄膜：先在单晶衬底上低温淀积一层CeO2薄膜，然后在高温下再淀积一层CeO2薄膜，两次淀积的薄膜结合在一起构成CeO2隔离层薄膜。在制作高温超导薄膜过程中，采用本发明制作的CeO2隔离层薄膜能有效地隔离单晶衬底材料与高温超导薄膜之间的互扩散，并调整与高温超导薄膜之间的晶格匹配，以获得外延生长和平整表面形貌，以及高性能的高温超导薄膜。
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