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公开(公告)号：CN117111420A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311099718.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法：S1，外延片清洗；S2，在外延片上旋涂底层的第一类型正性光刻胶；S3，软烘，对第一类型正性光刻胶进行固化；S4，在第一类型正性光刻胶表面旋涂顶层的第二类型正性光刻胶；S5，软烘，对第二类型正性光刻胶进行固化；S6，曝光，使用光刻机对双层光刻胶进行曝光；S7，后烘焙；S8，显影，使用碱性显影液对双层光刻胶进行显影；S9，金属沉积，使用金属沉积设备沉积金属膜；S10，使用光刻胶剥离液对双层光刻胶进行剥离；S11，在外延片表面制备得到金属凸点。本发明通过双层正性光刻胶实现Lift‑off工艺，解决了Micro‑LED微显示器件中小尺寸金属凸点难以制备的问题，可实现间距小且厚度高的金属凸点制备。
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公开(公告)号：CN116314481A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310130572.0
申请日：2023-02-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板，该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片，在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层，通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板，沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底，在键合转移过程中，后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列，实现大量Mini‑LED芯片的精准转移，有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成，可简化后续的封装工艺，制程简单，降低了Mini‑LED的制造成本。
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公开(公告)号：CN111769103B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010601783.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列，刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底，使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一，并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元；S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板，并去除硅衬底，以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移；S3重复S2，将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术，在发光结构之间形成金属连接层，将不同颜色发光结构连接在一起，实现多色Micro LED的制备，具有结构稳定、易于操作等特点。
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公开(公告)号：CN114196401B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111392828.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种原位交联法制备高稳定钙钛矿量子点薄膜的方法，包括以下步骤：S1.含铅前驱体溶液的制备，S2.卤化甲胺、卤化甲脒、卤化铯的异丙醇溶液的制备，S3.含铅聚合物薄膜的制备，S4.钙钛矿量子点/聚合物杂化薄膜的制备；依照本发明的方法，能够实现在大气环境下制备高亮度、高稳定性的钙钛矿量子点/聚合物杂化薄膜。
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公开(公告)号：CN111933801B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010804004.0
申请日：2020-08-12
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种具有六氟磷酸胍界面修饰层的反向平面钙钛矿太阳电池器件及其制备方法，属于新材料太阳能电池技术领域。本发明在钙钛矿/富勒烯界面引入六氟磷酸胍界面修饰层，其不仅能够有效钝化钙钛矿活性层的表面缺陷，促使晶粒长大，而且能够对界面能级进行调控，从而有效提高了电池器件的效率和稳定性。在此基础上，本发明进一步提供了该反向平面钙钛矿太阳电池器件的制备方法，首先以六氟磷酸和碳酸胍反应制备六氟磷酸胍，再将六氟磷酸胍的异丙醇溶液旋涂在钙钛矿薄膜的表面，最后进行固化、退火，使六氟磷酸胍界面修饰层得以引入反向平面钙钛矿太阳电池器件。本发明使反向平面钙钛矿太阳电池器件的光电转换效率和稳定性得到显著提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545969B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201811227041.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿太阳电池用锂、银共掺杂氧化镍纳米粒子的制备方法及应用。通过称取一定量的Ni(NO3)2·6H2O、LiNO3和AgNO3加入去离子水中搅拌溶解，其摩尔比范围为0.989～0.98:0.001～0.005:0.01～0.015，再滴加NaOH溶液，至pH到9.8～10，经过洗涤和干燥后，经过270℃煅烧得到锂、银共掺杂氧化镍的纳米粒子。将纳米粒子配制溶液，作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池。本发明可以有效提高钙钛矿电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109545969A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811227041.9
申请日：2018-10-22
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿太阳电池用锂、银共掺杂氧化镍纳米粒子的制备方法及应用。通过称取一定量的Ni(NO3)2·6H2O、LiNO3和AgNO3加入去离子水中搅拌溶解，其摩尔比范围为0.989～0.98:0.001～0.005:0.01～0.015，再滴加NaOH溶液，至pH到9.8～10，经过洗涤和干燥后，经过270℃煅烧得到锂、银共掺杂氧化镍的纳米粒子。将纳米粒子配制溶液，作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池。本发明可以有效提高钙钛矿电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118280818A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410410912.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法，涉及半导体器件制造领域。该复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法具体包括制备：提供Si基GaN外延片，在Si基GaN外延片上进行光刻，在待刻蚀区域表面形成光刻胶层；在所述光刻胶层和非刻蚀GaN窗口区域的表面制备复合掩膜层，复合掩膜层的层与层之间直接接触，制备过程连续；光刻后留下非刻蚀GaN窗口区域表面的复合掩膜层，利用所述复合掩膜层保护非刻蚀区域，将待刻蚀区域的GaN外延片刻蚀到指定深度获得Si基GaN图形阵列结构。本发明能够解决保持刻蚀深度的同时，控制掩膜厚度尽可能薄，提高掩膜图案精度。在刻蚀多种材料时无需要换用不同掩膜，从而减小刻蚀工艺难度及其复杂性，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118053947A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251588.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种具有互锁结构的混合键合方法，所述方法包括：采用干法刻蚀工艺精准调节绝缘介质层的高度；引入牺牲层金属，于其中一侧待键合晶圆上制备金属/介质凹陷结构；另一侧待键合晶圆形成图形化金属焊盘，或制备金属/介质凸起结构；两侧晶圆对准热压，形成具有互锁结构的金属/介质混合键合。该方法中，绝缘介质的填充无需复杂的化学机械抛光（CMP）和光刻工艺，制备工艺简单、成本低，并且实现了键合点的自对准和滑移锁止，可大幅提升键合强度和良率，获得高可靠性的Micro‑LED器件。
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公开(公告)号：CN113416155A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110540014.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 南昌大学
IPC: C07C277/00 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池添加剂的制备方法及其应用，包括以下步骤：1）取四氟硼酸溶液于玻璃器皿中，然后向四氟硼酸溶液中缓慢添加碳酸胍粉末，添加过程中不断搅拌，使两者充分反应，直至不再生成气泡；2）采用布氏漏斗抽滤，将反应生成的沉淀分离出来，再用二氯甲烷有机溶剂对沉淀进行洗涤，得到四氟硼酸胍白色沉淀；3）将所得四氟硼酸胍白色沉淀放置于真空干燥箱中进行干燥，得到四氟硼酸胍添加剂。依照本发明方法制备的四氟硼酸胍添加剂，将其应用于钙钛矿太阳能电池的钙钛矿活性层中，能够有效提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，并使其能够在保证较高的光电转换效率下有更长的使用寿命，提高了钙钛矿太阳能电池的稳定性。
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