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发明公开
一种双金属CoZn-Se@MXene电极的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN115528227A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211183263.1

申请日：2022-09-27

Applicant: 南通大学

Inventor： 葛明政 , 季朱玉 , 何宏刚 , 苏杭 , 张海峰 , 傅秋霞

IPC: H01M4/36 , H01M4/42 , H01M4/38 , H01M4/139

Abstract: 本发明提供了一种双金属CoZn‑Se@MXene电极的制备方法，属于材料技术领域。解决了二维材料MXenes堆叠和MOFs聚集的双重问题。其技术方案为：步骤一：二维层状Mxene的制备；步骤二：双金属CoZn‑MOFs@MXene复合物的制备；步骤三：双金属CoZn‑Se@MXene电极的制备；步骤四：双金属CoZn‑Se@MXene电极电化学性能测试。本发明的有益效果为：本发明的过渡金属硒化物通过其中硒化钴、硒化锌两种金属组分之间的协同作用提高了锂存储性能，从而改善了该电极材料的电化学性能。

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